| Технические характеристики IRFBC30S | |
|---|---|
| Статус | Устаревший |
| Упаковка | Трубка |
| Поставщик | Vishay Siliconix |
| Тип полевого транзистора | N-канал |
| Технологии | МОП-транзистор (металлооксидный) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 В |
| Ток – непрерывный сток (Id) при 25°C | 3,6A (Tc) |
| Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V |
| Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 2,2 Ом при 2,2 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 А |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 31 нК при 10 В |
| Vgs (макс.) | 20В |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 660 пФ при 25 В |
| Особенность полевого транзистора | – |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3,1 Вт (Ta), 74 Вт (Tc) |
| Рабочая температура | -55С ~ 150С (ТДж) |
| Тип крепления | Поверхностный монтаж |
| Пакет устройств поставщика | DPAK (TO-263) |
| Упаковка / Кейс | TO-263-3, DPak (2 провода + накладка), TO-263AB |
Приложения
Благодаря прочной конструкции и высокой производительности IRFBC30S универсален и может использоваться в различных отраслях промышленности.
- Автомобильная промышленность: Используется в системах силовой электроники для повышения топливной эффективности и контроля выбросов.
- Промышленные: Применяется в оборудовании, требующем точного контроля над электрическими сигналами.
- Бытовая электроника: Используется в таких устройствах, как смартфоны и ноутбуки, для более эффективного управления батареей.
- Телекоммуникации: Используется в сетевом оборудовании для надежной передачи сигнала.
- Возобновляемая энергия: Используется в солнечных инверторах для оптимизации преобразования энергии.
Рабочая температура: от -40°C до +125°C
Основные преимущества
1. **Высокая токопотребляющая способность:** IRFBC30S может выдерживать ток до 30 А, что делает его подходящим для мощных приложений.
2. **Усовершенствованная технология привода затвора:** Эта уникальная особенность обеспечивает эффективную скорость переключения, снижая потери проводимости.
3. **Энергоэффективность:** С типичным RDS(on) 6m¦¸ при 25¡ãC, IRFBC30S предлагает отличную энергоэффективность.
4. **Стандарты сертификации:** Соответствует строгим отраслевым сертификатам, таким как IEC, UL и CE, обеспечивая надежность и безопасность.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Каково типичное значение RDS(on) для IRFBC30S?
A1: Типичное значение RDS(on) для IRFBC30S составляет 6m¦¸ при 25¡ãC.
Вопрос 2: Можно ли использовать IRFBC30S в высокочастотных приложениях?
A2: Да, передовая технология привода затвора поддерживает высокочастотный режим работы, что выгодно для приложений, требующих высокой скорости переключения.
Вопрос 3: В каких конкретных сценариях вы бы рекомендовали использовать IRFBC30S?
A3: IRFBC30S рекомендуется использовать в сценариях с высокими требованиями к обработке тока, например, в автомобильной силовой электронике и промышленном оборудовании.
Поисковые термины других людей
– Сильноточные МОП-транзисторы
- Усовершенствованный МОП-транзистор с приводом затвора
- MOSFET с низким RDS(on)
- МОП-транзистор промышленного класса
- Автомобильные МОП-транзисторы
English 
Russian 
Polish 
Indonesian 
Japanese