Технические характеристики IRFB52N15DPBF | |
---|---|
Статус | Активный |
Ряд | HEXFET? |
Упаковка | Трубка |
Поставщик | Технологии Инфинеон |
Тип полевого транзистора | N-канал |
Технологии | МОП-транзистор (металлооксидный) |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 В |
Ток – непрерывный сток (Id) при 25°C | 51A (Tc) |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V |
Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 32 мОм @ 36A, 10В |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 5 В @ 250 А |
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 89 нК при 10 В |
Vgs (макс.) | 30V |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2770 пФ при 25 В |
Особенность полевого транзистора | – |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 3,8 Вт (Ta), 230 Вт (Tc) |
Рабочая температура | -55C ~ 175C (TJ) |
Тип крепления | Сквозное отверстие |
Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
Упаковка / Кейс | ТО-220-3 |
Приложения
Благодаря своей прочности и эффективности IRFB52N15DPBF идеально подходит для высокопроизводительных систем преобразования энергии в промышленной автоматизации, решений для возобновляемых источников энергии, таких как солнечные инверторы, и автомобильной электроники.
Рабочая температура: от -55¡ãC до +175¡ãC
Основные преимущества
1. Высокая способность выдерживать ток (60A)
2. Передовая технология привода затвора
3. Низкое сопротивление в режиме ожидания (0,018¦¸)
4. Сертификации CE, UL и RoHS
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Какова максимальная допустимая сила тока IRFB52N15DPBF?
A1: Максимальная допустимая сила тока IRFB52N15DPBF составляет 60 А.
Вопрос 2: Можно ли использовать IRFB52N15DPBF в высокотемпературных средах?
A2: Да, он может эффективно работать в диапазоне температур от -55¡ãC до +175¡ãC.
Вопрос 3: В каких конкретных сценариях вы бы рекомендовали использовать IRFB52N15DPBF?
A3: IRFB52N15DPBF рекомендуется использовать в мощных коммутационных приложениях, таких как DC/DC-преобразователи в промышленном оборудовании и инверторные схемы в электромобилях.
Поисковые термины других людей
- Промышленные компоненты управления питанием
- МОП-транзисторы автомобильного класса
– Эффективные силовые полупроводники
- MOSFET-решения для возобновляемых источников энергии
- Технические характеристики высоковольтных МОП-транзисторов