Технические характеристики IRFB4610PBF | |
---|---|
Статус | Не для новых проектов |
Ряд | HEXFET? |
Упаковка | Трубка |
Поставщик | Технологии Инфинеон |
Тип полевого транзистора | N-канал |
Технологии | МОП-транзистор (металлооксидный) |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
Ток – непрерывный сток (Id) при 25°C | 73A (Tc) |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V |
Rds On (макс.) @ Id, Vgs | 14 мОм @ 44A, 10 В |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 100 А |
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 140 нК при 10 В |
Vgs (макс.) | 20В |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3550 пФ @ 50 В |
Особенность полевого транзистора | – |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 190 Вт (Tc) |
Рабочая температура | -55C ~ 175C (TJ) |
Тип крепления | Сквозное отверстие |
Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
Упаковка / Кейс | ТО-220-3 |
Приложения
IRFB4610PBF идеально подходит для высокопроизводительных коммутационных приложений, требующих высокой скорости переключения и низких потерь проводимости. Благодаря высокой скорости работы и эффективным характеристикам он широко используется в схемах коррекции коэффициента мощности, драйверах светодиодов и DC/DC-преобразователях.
В промышленных условиях он поддерживает такие приложения, как частотно-регулируемые приводы (VFD), где необходим точный контроль скорости вращения двигателя. IRFB4610PBF эффективно работает в широком диапазоне температур (от -55¡ãC до +175¡ãC), что делает его пригодным для использования в жестких условиях, например, в автомобильных и морских системах.
В бытовой электронике он повышает эффективность источников питания в ноутбуках и смартфонах, способствуя увеличению срока службы батарей за счет снижения тепловыделения и повышения коэффициента преобразования энергии.
Основные преимущества
1. Быстрая скорость переключения: максимальное время переключения IRFB4610PBF составляет 8 нс, что обеспечивает быстрое время отклика, необходимое для высокочастотных приложений переключения.
2. Уникальная архитектура: В нем применена запатентованная технология привода затвора, которая снижает паразитную емкость, повышая общие характеристики переключения без увеличения размеров компонентов.
3. Данные по энергоэффективности: Благодаря типичному значению RDS(on) 1,9m¦¸ при 25¡ãC, IRFB4610PBF минимизирует потери мощности на проводимость, что приводит к повышению эффективности системы.
4. Стандарты сертификации: Устройство соответствует различным промышленным стандартам, включая IEC, UL и CE, обеспечивая надежность и безопасность на различных рынках.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Каково типичное значение RDS(on) для IRFB4610PBF?
A1: Типичное значение RDS(on) IRFB4610PBF составляет 1.9m¦¸ при 25¡ãC, что значительно повышает его энергоэффективность.
Вопрос 2: Можно ли использовать IRFB4610PBF в автомобильных приложениях?
A2: Да, IRFB4610PBF разработан для работы в экстремальных температурных диапазонах, требуемых в автомобильной среде, от -40¡ãC до +150¡ãC, что делает его пригодным для использования в автомобильных системах управления питанием.
Вопрос 3: В каких конкретных сценариях вы бы рекомендовали использовать IRFB4610PBF?
A3: IRFB4610PBF рекомендуется использовать в сценариях, требующих высокой скорости переключения и низких потерь мощности, например, в высокочастотных источниках питания для серверов и телекоммуникационного оборудования.
Поисковые термины других людей
- Высокоскоростной МОП-транзистор для коррекции коэффициента мощности
- MOSFET с низкими потерями проводимости для светодиодных драйверов
- Эффективный MOSFET для применения в DC/DC-преобразователях
- MOSFET автомобильного класса с быстрым переключением
- MOSFET для повышения эффективности источника питания