Технические характеристики IRFB4227PBFXKMA1 | |
---|---|
Статус | Активный |
Упаковка | Трубка |
Поставщик | Технологии Инфинеон |
Тип полевого транзистора | – |
Технологии | – |
Напряжение сток-исток (Vdss) | – |
Ток – непрерывный сток (Id) при 25°C | – |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | – |
Rds On (макс.) @ Id, Vgs | – |
Vgs(th) (Макс) @ Id | – |
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | – |
Vgs (макс.) | – |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | – |
Особенность полевого транзистора | – |
Рассеиваемая мощность (макс.) | – |
Рабочая температура | – |
Тип крепления | – |
Пакет устройств поставщика | – |
Упаковка / Кейс | – |
Приложения
IRFB4227PBFXKMA1 идеально подходит для высокопроизводительных коммутационных приложений, требующих высокой скорости переключения и низких потерь проводимости. Благодаря высокой скорости работы и эффективным характеристикам он широко используется в схемах коррекции коэффициента мощности, драйверах светодиодов и DC/DC-преобразователях.
В промышленных условиях он поддерживает такие приложения, как частотно-регулируемые приводы (VFD), где необходим точный контроль скорости вращения двигателя. Устройство эффективно работает в широком диапазоне температур от -40¡ãC до +150¡ãC, обеспечивая надежность в различных условиях.
В автомобильных приложениях IRFB4227PBFXKMA1 позволяет создавать эффективные системы управления энергопотреблением, особенно в гибридных автомобилях, где минимизация потерь мощности в процессе преобразования является критически важной.
Основные преимущества
1. Быстрая скорость переключения: максимальное время переключения IRFB4227PBFXKMA1 составляет 6 нс, что делает его подходящим для высокочастотных приложений.
2. Уникальная архитектура: В устройстве применена запатентованная технология привода затвора, которая повышает устойчивость устройства к электромагнитным помехам (EMI).
3. Данные по энергоэффективности: Благодаря типичному RDS(on) 8m¦¸ при 25¡ãC, IRFB4227PBFXKMA1 обеспечивает превосходную энергоэффективность, снижая тепловыделение и улучшая общую производительность системы.
4. Стандарты сертификации: Устройство соответствует различным промышленным стандартам, включая IEC, UL и CE, обеспечивая безопасность и соответствие требованиям на различных рынках.
Часто задаваемые вопросы
Вопрос 1: Каково типичное значение RDS(on) для IRFB4227PBFXKMA1?
A1: Типичное значение RDS(on) IRFB4227PBFXKMA1 составляет 8m¦¸ при 25¡ãC, что значительно повышает его энергоэффективность.
Вопрос 2: Можно ли использовать IRFB4227PBFXKMA1 в автомобильных приложениях?
A2: Да, IRFB4227PBFXKMA1 разработан в соответствии с жесткими требованиями автомобильной среды, обеспечивая надежную работу в суровых условиях.
Вопрос 3: В каких конкретных сценариях вы бы рекомендовали использовать IRFB4227PBFXKMA1?
A3: IRFB4227PBFXKMA1 рекомендуется использовать в сценариях, требующих высокой скорости переключения и низких потерь проводимости, например, в VFD, светодиодных драйверах и DC/DC-преобразователях, особенно в таких отраслях, как производство, телекоммуникации и возобновляемые источники энергии.
Поисковые термины других людей
- Высокоскоростной МОП-транзистор для коррекции коэффициента мощности
- MOSFET с низкими потерями проводимости для светодиодных драйверов
- Эффективный MOSFET для DC/DC-преобразователей
- MOSFET автомобильного класса с быстрым переключением
- Промышленный MOSFET с широким температурным диапазоном