| Specyfikacja IRFBC30S | |
|---|---|
| Status | Przestarzały |
| Pakiet | Rura |
| Dostawca | Vishay Siliconix |
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie odpływu do źródła (Vdss) | 600 V |
| Prąd – ciągły pobór prądu (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
| Napięcie napędu (maks. Rds On, min. Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V |
| Vgs(th) (maks.) @ Id | 4V @ 250A |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 31 nC przy 10 V |
| Vgs (maks.) | 20 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 660 pF przy 25 V |
| Funkcja FET | – |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 3,1 W (Ta), 74 W (Tc) |
| Temperatura pracy | -55C ~ 150C (TJ) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | DPAK (TO-263) |
| Opakowanie / Obudowa | TO-263-3, DPak (2 przewody + karta), TO-263AB |
Aplikacje
Model IRFBC30S jest wszechstronny i może być wykorzystywany w różnych branżach ze względu na solidną konstrukcję i wysoką wydajność.
- Automobilowy: Stosowany w układach elektroniki mocy w celu poprawy wydajności paliwowej i kontroli emisji.
- Przemysłowy: Stosowany w maszynach wymagających precyzyjnej kontroli sygnałów elektrycznych.
- Elektronika użytkowa: Stosowany w urządzeniach takich jak smartfony i laptopy w celu lepszego zarządzania baterią.
- Telekomunikacja: Wykorzystywany w sprzęcie sieciowym do niezawodnej transmisji sygnału.
- Energia odnawialna: Stosowany w falownikach solarnych w celu optymalizacji konwersji energii.
Temperatura pracy: -40¡ãC do +125¡ãC
Główne zalety
1. **Wysoka wydajność prądowa:** IRFBC30S może obsługiwać prądy do 30 A, dzięki czemu nadaje się do zastosowań o dużej mocy.
2. **Zaawansowana technologia napędu bramki:** Ta unikalna funkcja pozwala na wydajne przełączanie prędkości, zmniejszając straty przewodzenia.
3. **Efektywność energetyczna:** Z typowym RDS(on) wynoszącym 6m¦¸ przy 25¡C, IRFBC30S oferuje doskonałą efektywność energetyczną.
4. **Standardy certyfikacji:** Spełnia rygorystyczne certyfikaty branżowe, takie jak IEC, UL i CE, zapewniając niezawodność i bezpieczeństwo.
Często zadawane pytania
P1: Jaka jest typowa wartość RDS(on) dla IRFBC30S?
A1: Typowa wartość RDS(on) dla IRFBC30S wynosi 6 m¸ w temperaturze 25°C.
P2: Czy IRFBC30S może być używany w aplikacjach o wysokiej częstotliwości?
A2: Tak, zaawansowana technologia napędu bramy obsługuje pracę z wysoką częstotliwością, co jest korzystne w przypadku aplikacji wymagających szybkiego przełączania.
P3: W jakich konkretnych scenariuszach zalecałbyś korzystanie z IRFBC30S?
A3: IRFBC30S jest zalecany do scenariuszy obejmujących wysokie wymagania dotyczące obsługi prądu, takich jak elektronika samochodowa i maszyny przemysłowe.
Terminy wyszukiwania innych osób
– MOSFET-y o dużym natężeniu prądu
- Zaawansowany napęd bramki MOSFET
- Niski RDS(on) MOSFET
- MOSFET klasy przemysłowej
- Samochodowe tranzystory MOSFET
English 
Russian 
Polish 
Indonesian 
Japanese