Specyfikacja IRFB7430PBF | |
---|---|
Status | Aktywny |
Szereg | HEXFET?, StrongIRFET? |
Pakiet | Rura |
Dostawca | Technologie Infineon |
Typ FET | Kanał N |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
Napięcie odpływu do źródła (Vdss) | 40 V |
Prąd – ciągły pobór prądu (Id) @ 25C | 195A (Tc) |
Napięcie napędu (maks. Rds On, min. Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 3,9 V PRZY 250 A |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 460 nC przy 10 V |
Vgs (maks.) | 20 V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 14240 pF przy 25 V |
Funkcja FET | – |
Rozpraszanie mocy (maks.) | 375W (Tc) |
Temperatura pracy | -55C ~ 175C (TJ) |
Typ montażu | Przez otwór |
Pakiet urządzeń dostawcy | TO-220AB |
Opakowanie / Obudowa | TO-220-3 |
Aplikacje
IRFB7430PBF jest idealny do wysokowydajnych aplikacji przełączających wymagających szybkich prędkości przełączania i niskich strat przewodzenia. Jest on powszechnie stosowany w obwodach korekcji współczynnika mocy, obwodach sterowników LED i przetwornicach DC/DC ze względu na jego szybką pracę i wydajną charakterystykę przełączania.
W warunkach przemysłowych obsługuje aplikacje takie jak napędy o zmiennej częstotliwości (VFD), w których precyzyjna kontrola prędkości silnika ma kluczowe znaczenie. Urządzenie działa skutecznie w szerokim zakresie temperatur (od -40°C do +125°C), zapewniając niezawodność w różnych warunkach środowiskowych.
W zastosowaniach motoryzacyjnych, IRFB7430PBF umożliwia wydajne systemy zarządzania energią, szczególnie w pojazdach hybrydowych, gdzie minimalizacja strat energii podczas procesów konwersji ma kluczowe znaczenie.
W elektronice użytkowej zwiększa wydajność zasilaczy, poprawiając ogólną wydajność i żywotność systemu.
IRFB7430PBF znajduje również zastosowanie w systemach energii odnawialnej, takich jak falowniki solarne, przyczyniając się do bardziej wydajnej konwersji energii z paneli słonecznych na użyteczną energię elektryczną.
Główne zalety
1. Duża szybkość przełączania: IRFB7430PBF oferuje maksymalny czas przełączania 6ns, dzięki czemu nadaje się do zastosowań o wysokiej częstotliwości.
2. Niskie straty przewodzenia: Z typowym RDS(on) wynoszącym 8m¦¸ przy 25¡C, minimalizuje rozpraszanie mocy, zwiększając ogólną wydajność systemu.
3. Wysoka wydajność: Urządzenie osiąga sprawność do 98% w optymalnych warunkach, redukując wytwarzanie ciepła i wydłużając żywotność podzespołów.
4. Wytrzymałość: Zaprojektowany do środowisk przemysłowych, wytrzymuje trudne warunki z określonym zakresem temperatur pracy od -40°C do +125°C.
5. Certyfikaty: IRFB7430PBF spełnia różne standardy branżowe, w tym RoHS i IEC, zapewniając zgodność z globalnymi przepisami.
Często zadawane pytania
P1: Jaka jest typowa wartość RDS(on) dla IRFB7430PBF?
A1: Typowa wartość RDS(on) dla IRFB7430PBF wynosi 8m¸ przy 25′C, co znacząco przyczynia się do niskich strat przewodzenia i wysokiej wydajności.
P2: Czy IRFB7430PBF może być używany w aplikacjach motoryzacyjnych?
A2: Tak, IRFB7430PBF doskonale nadaje się do zastosowań motoryzacyjnych, zwłaszcza w systemach wymagających precyzyjnego sterowania i wysokiej wydajności, takich jak napędy o zmiennej częstotliwości i systemy zarządzania energią.
P3: W jakich scenariuszach IRFB7430PBF sprawdza się najlepiej?
A3: IRFB7430PBF wyróżnia się w scenariuszach wymagających szybkich czasów przełączania i minimalnych strat mocy, takich jak tryby przełączania wysokiej częstotliwości występujące w obwodach korekcji współczynnika mocy i sterownikach LED.
Terminy wyszukiwania innych osób
- Szybko przełączające tranzystory MOSFET
- Tranzystory MOSFET o niskich stratach przewodzenia
- Tranzystory MOSFET klasy przemysłowej
- Samochodowe tranzystory MOSFET
- Wysokowydajne tranzystory MOSFET