Specyfikacja IRFB4227PBFXKMA1 | |
---|---|
Status | Aktywny |
Pakiet | Rura |
Dostawca | Technologie Infineon |
Typ FET | – |
Technologia | – |
Napięcie odpływu do źródła (Vdss) | – |
Prąd – ciągły pobór prądu (Id) @ 25C | – |
Napięcie napędu (maks. Rds On, min. Rds On) | – |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | – |
Vgs(th) (maks.) @ Id | – |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | – |
Vgs (maks.) | – |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | – |
Funkcja FET | – |
Rozpraszanie mocy (maks.) | – |
Temperatura pracy | – |
Typ montażu | – |
Pakiet urządzeń dostawcy | – |
Opakowanie / Obudowa | – |
Aplikacje
IRFB4227PBFXKMA1 jest idealny do wysokowydajnych aplikacji przełączających wymagających dużych prędkości przełączania i niskich strat przewodzenia. Jest on powszechnie stosowany w obwodach korekcji współczynnika mocy, obwodach sterowników LED i przetwornicach DC/DC ze względu na jego szybkie działanie i wydajną pracę.
W warunkach przemysłowych obsługuje aplikacje takie jak napędy o zmiennej częstotliwości (VFD), w których precyzyjna kontrola prędkości silnika ma kluczowe znaczenie. Urządzenie działa skutecznie w szerokim zakresie temperatur od -40°C do +150°C, zapewniając niezawodność w różnych środowiskach.
W zastosowaniach motoryzacyjnych, IRFB4227PBFXKMA1 umożliwia wydajne systemy zarządzania energią, szczególnie w pojazdach hybrydowych, gdzie minimalizacja strat mocy podczas procesów konwersji ma kluczowe znaczenie.
Główne zalety
1. Duża szybkość przełączania: IRFB4227PBFXKMA1 oferuje maksymalny czas przełączania 6ns, dzięki czemu nadaje się do zastosowań o wysokiej częstotliwości.
2. Unikalna cecha architektury: Zawiera zastrzeżoną technologię napędu bramki, która zwiększa odporność urządzenia na zakłócenia elektromagnetyczne (EMI).
3. Dane dotyczące sprawności energetycznej: Z typowym RDS(on) wynoszącym 8m¦¸ przy 25¡C, IRFB4227PBFXKMA1 zapewnia doskonałą wydajność energetyczną, redukując wytwarzanie ciepła i poprawiając ogólną wydajność systemu.
4. Standardy certyfikacji: Urządzenie jest zgodne z różnymi normami branżowymi, w tym IEC, UL i CE, zapewniając bezpieczeństwo i zgodność na różnych rynkach.
Często zadawane pytania
P1: Jaka jest typowa wartość RDS(on) dla IRFB4227PBFXKMA1?
A1: Typowa wartość RDS(on) dla IRFB4227PBFXKMA1 wynosi 8m¦¸ przy 25′C, co znacząco wpływa na jego wydajność energetyczną.
Q2: Czy IRFB4227PBFXKMA1 może być używany w aplikacjach motoryzacyjnych?
A2: Tak, IRFB4227PBFXKMA1 został zaprojektowany, aby spełnić rygorystyczne wymagania środowisk motoryzacyjnych, zapewniając niezawodne działanie w trudnych warunkach.
P3: W jakich konkretnych scenariuszach zalecałbyś użycie IRFB4227PBFXKMA1?
A3: IRFB4227PBFXKMA1 jest zalecany do scenariuszy wymagających szybkiego przełączania i niskich strat przewodzenia, takich jak VFD, sterowniki LED i konwertery DC / DC, szczególnie w branżach takich jak produkcja, telekomunikacja i energia odnawialna.
Terminy wyszukiwania innych osób
- Szybki tranzystor MOSFET do korekcji współczynnika mocy
- MOSFET o niskich stratach przewodzenia dla sterowników LED
- Wydajne tranzystory MOSFET do przetwornic DC/DC
- MOSFET klasy motoryzacyjnej z szybkim przełączaniem
- Przemysłowy tranzystor MOSFET o szerokim zakresie temperatur