Specyfikacja IRFB4227PBF | |
---|---|
Status | Aktywny |
Szereg | HEXFET? |
Pakiet | Rura |
Dostawca | Technologie Infineon |
Typ FET | Kanał N |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
Napięcie odpływu do źródła (Vdss) | 200 V |
Prąd – ciągły pobór prądu (Id) @ 25C | 65A (Tc) |
Napięcie napędu (maks. Rds On, min. Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 46A, 10V |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 5V @ 250A |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 98 nC przy 10 V |
Vgs (maks.) | 30V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 4600 pF przy 25 V |
Funkcja FET | – |
Rozpraszanie mocy (maks.) | 330W (Tc) |
Temperatura pracy | -40C ~ 175C (TJ) |
Typ montażu | Przez otwór |
Pakiet urządzeń dostawcy | TO-220AB |
Opakowanie / Obudowa | TO-220-3 |
Aplikacje
IRFB4227PBF jest idealny do wysokowydajnych aplikacji przełączających wymagających dużych prędkości przełączania i niskich strat przewodzenia. Jest on powszechnie stosowany w obwodach korekcji współczynnika mocy, obwodach sterowników LED i przetwornicach DC/DC ze względu na jego szybką pracę i wydajną charakterystykę przełączania.
W warunkach przemysłowych obsługuje aplikacje takie jak napędy o zmiennej częstotliwości (VFD), w których precyzyjna kontrola prędkości silnika ma kluczowe znaczenie. Urządzenie działa skutecznie w szerokim zakresie temperatur (od -40°C do +125°C), zapewniając niezawodność w różnych warunkach środowiskowych.
W zastosowaniach motoryzacyjnych, IRFB4227PBF umożliwia wydajne systemy zarządzania energią, przyczyniając się do poprawy oszczędności paliwa i zmniejszenia emisji. Wytrzymała konstrukcja sprawia, że nadaje się on do pracy w trudnych warunkach, typowych dla elektroniki samochodowej.
W systemach energii odnawialnej, takich jak falowniki solarne, IRFB4227PBF pomaga zoptymalizować wydajność konwersji mocy, co czyni go kluczowym elementem w bardziej efektywnym wykorzystaniu energii słonecznej.
IRFB4227PBF znajduje również zastosowanie w sprzęcie medycznym, gdzie precyzja i niezawodność są najważniejsze. Jego zdolność do obsługi przełączania wysokiej częstotliwości bez uszczerbku dla wydajności sprawia, że jest to preferowany wybór dla krytycznych urządzeń monitorujących.
Główne zalety
1. Duża szybkość przełączania: IRFB4227PBF oferuje maksymalny czas przełączania wynoszący 6ns, umożliwiając szybkie czasy reakcji niezbędne dla szybkich obwodów cyfrowych.
2. Niskie straty przewodzenia: Z typowym RDS(on) wynoszącym 8m¦¸ przy 25¡C, IRFB4227PBF minimalizuje rozpraszanie mocy podczas pracy, zwiększając ogólną wydajność systemu.
3. Wysoka sprawność: Urządzenie osiąga sprawność do 98% w optymalnych warunkach, dzięki czemu jest wysoce efektywne w zastosowaniach konwersji mocy.
4. Solidna konstrukcja: Dzięki obudowie TO-252, IRFB4227PBF może wytrzymać wysokie prądy i napięcia, zapewniając długoterminową niezawodność w wymagających środowiskach.
5. Zgodność z normami branżowymi: IRFB4227PBF jest zgodny z różnymi standardami branżowymi, w tym IEC, UL i CE, zapewniając bezpieczną i niezawodną integrację z różnymi aplikacjami.
Często zadawane pytania
P1: Jaka jest typowa wartość RDS(on) dla IRFB4227PBF?
A1: Typowa wartość RDS(on) dla IRFB4227PBF wynosi 8m¸ przy 25′C, co znacząco przyczynia się do niskich strat przewodzenia i wysokiej wydajności.
P2: Czy IRFB4227PBF może być używany w środowiskach o wysokiej temperaturze?
A2: Tak, IRFB4227PBF został zaprojektowany do efektywnej pracy w zakresie temperatur od -40°C do +125°C, dzięki czemu nadaje się zarówno do zimnych, jak i gorących środowisk.
P3: W jakich konkretnych scenariuszach zalecałbyś użycie IRFB4227PBF?
A3: IRFB4227PBF jest zalecany do scenariuszy wymagających szybkiego przełączania i niskich strat mocy, takich jak VFD, sterowniki LED i konwertery DC / DC o wysokiej częstotliwości. Jego przydatność rozciąga się na motoryzację, energię odnawialną i zastosowania medyczne, w których precyzyjne i wydajne zarządzanie energią ma kluczowe znaczenie.
Terminy wyszukiwania innych osób
- Szybko przełączające tranzystory MOSFET
- Tranzystory MOSFET o niskich stratach przewodzenia
- Wysokowydajne przełączniki zasilania
- Tranzystory MOSFET klasy przemysłowej
- Rozwiązania MOSFET dla branży motoryzacyjnej