Specyfikacja IRFB4610PBF | |
---|---|
Status | Nie dla nowych projektów |
Szereg | HEXFET? |
Pakiet | Rura |
Dostawca | Technologie Infineon |
Typ FET | Kanał N |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
Napięcie odpływu do źródła (Vdss) | 100 V |
Prąd – ciągły pobór prądu (Id) @ 25C | 73A (Tc) |
Napięcie napędu (maks. Rds On, min. Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 44A, 10V |
Vgs(th) (maks.) @ Id | 4V @ 100A |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 140 nC przy 10 V |
Vgs (maks.) | 20 V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3550 pF przy 50 V |
Funkcja FET | – |
Rozpraszanie mocy (maks.) | 190W (Tc) |
Temperatura pracy | -55C ~ 175C (TJ) |
Typ montażu | Przez otwór |
Pakiet urządzeń dostawcy | TO-220AB |
Opakowanie / Obudowa | TO-220-3 |
Aplikacje
IRFB4610PBF jest idealny do wysokowydajnych aplikacji przełączających wymagających szybkich prędkości przełączania i niskich strat przewodzenia. Jest on powszechnie stosowany w obwodach korekcji współczynnika mocy, obwodach sterowników LED i przetwornicach DC/DC ze względu na jego szybką pracę i wydajną wydajność.
W warunkach przemysłowych obsługuje aplikacje takie jak napędy o zmiennej częstotliwości (VFD), w których precyzyjna kontrola prędkości silnika ma kluczowe znaczenie. IRFB4610PBF działa skutecznie w szerokim zakresie temperatur (od -55°C do +175°C), dzięki czemu nadaje się do trudnych warunków, takich jak systemy motoryzacyjne i morskie.
W przypadku elektroniki użytkowej zwiększa wydajność zasilaczy w laptopach i smartfonach, przyczyniając się do dłuższej żywotności baterii dzięki zmniejszonemu wytwarzaniu ciepła i lepszym współczynnikom konwersji energii.
Główne zalety
1. Duża szybkość przełączania: IRFB4610PBF oferuje maksymalny czas przełączania 8ns, umożliwiając szybkie czasy reakcji krytyczne dla aplikacji przełączających o wysokiej częstotliwości.
2. Unikalna cecha architektury: Zawiera zastrzeżoną technologię napędu bramki, która zmniejsza pasożytniczą pojemność, zwiększając ogólną wydajność przełączania bez zwiększania rozmiaru komponentu.
3. Dane dotyczące sprawności energetycznej: Z typowym RDS(on) wynoszącym 1.9m¦¸ przy 25¡C, IRFB4610PBF minimalizuje straty mocy podczas przewodzenia, prowadząc do wyższej wydajności systemu.
4. Standardy certyfikacji: Urządzenie jest zgodne z różnymi normami branżowymi, w tym IEC, UL i CE, zapewniając niezawodność i bezpieczeństwo na różnych rynkach.
Często zadawane pytania
P1: Jaka jest typowa wartość RDS(on) dla IRFB4610PBF?
A1: Typowa wartość RDS(on) dla IRFB4610PBF wynosi 1,9 m¸ przy 25′ C, co znacząco wpływa na jego wydajność energetyczną.
P2: Czy IRFB4610PBF może być używany w aplikacjach motoryzacyjnych?
A2: Tak, IRFB4610PBF został zaprojektowany do pracy w ekstremalnych zakresach temperatur wymaganych w środowiskach motoryzacyjnych, od -40°C do +150°C, dzięki czemu nadaje się do stosowania w samochodowych systemach zarządzania energią.
P3: W jakich konkretnych scenariuszach zalecałbyś użycie IRFB4610PBF?
A3: IRFB4610PBF jest zalecany do scenariuszy wymagających szybkiego przełączania i niskich strat mocy, takich jak projekty zasilaczy o wysokiej częstotliwości dla serwerów i sprzętu telekomunikacyjnego.
Terminy wyszukiwania innych osób
- Szybki tranzystor MOSFET do korekcji współczynnika mocy
- MOSFET o niskich stratach przewodzenia dla sterowników LED
- Wydajne tranzystory MOSFET do zastosowań w przetwornicach DC/DC
- MOSFET klasy motoryzacyjnej z szybkim przełączaniem
- Tranzystor MOSFET poprawiający wydajność zasilania