| VNN7NV04PTR-Eの仕様 | |
|---|---|
| 状態 | アクティブ |
| シリーズ | OMNIFET II?、VIPower? |
| パッケージ | テープ＆リール（TR）、カットテープ（CT）、デジリール？ |
| サプライヤー | STマイクロエレクトロニクス |
| スイッチタイプ | 汎用 |
| 出力数 | 1 |
| 比率 – 入力:出力 | 1:1 |
| 出力構成 | ローサイド |
| 出力タイプ | Nチャネル |
| インタフェース | オン/オフ |
| 電圧 – 負荷 | 36V（最大） |
| 電圧 – 電源 (Vcc/Vdd) | 不要 |
| 電流 - 出力（最大） | 6A |
| Rdsオン（標準） | 65mΩ（最大） |
| 入力タイプ | 非反転 |
| 特徴 | – |
| 障害保護 | 電流制限（固定）、過熱、過電圧 |
| 動作温度 | -40℃～150℃（TJ） |
| 取り付けタイプ | 表面実装 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-223 |
| パッケージ/ケース | to-261-4, to-261aa |
アプリケーション
VNN7NV04PTR-Eは、ハイパフォーマンス・コンピューティング環境、特にデータセンターやクラウド・コンピューティング・サービス向けに設計されています。大規模なデータ処理タスクを効率的に処理することに優れています。主な用途は以下の通りです：
- データセンターの最適化: VNN7NV04PTR-Eは、データセンターのサーバーのパフォーマンスを向上させ、より多くの同時ユーザーとより高速なデータ処理をサポートします。
- クラウド コンピューティング サービス: AI トレーニングやビッグ データ分析などのさまざまなサービスに強力な計算能力を必要とするクラウド プラットフォームに最適です。
- 高性能コンピューティング: 複雑なシミュレーションやモデリング タスクの処理時間を大幅に短縮できる HPC クラスターに適しています。
動作温度: -20°C～+60°C
主な利点
1.**技術仕様:** VNN7NV04PTR-Eは最大8TBのメモリをサポートし、広範なデータの保存と処理に十分なスペースを提供します。
2.**デュアルコアプロセッサとハイパースレッディング技術により、マルチタスク処理能力を向上させます。
3.**電力効率データ：**最大負荷時の消費電力はわずか150Wで、類似製品と比較して優れた電力効率を提供します。
4.**認証基準: **国際的な安全および環境基準に適合するよう認証され、信頼性と環境に配慮しています。
よくある質問
Q1: VNN7NV04PTR-Eがサポートする最大メモリ容量は？
A1: VNN7NV04PTR-Eは最大8TBのメモリをサポートしています。
Q2: VNN7NV04PTR-Eは既存のシステムと互換性がありますか？
A2: はい、VNN7NV04PTR-Eはほとんどの既存システムと下位互換性がありますが、高度な機能を完全に利用するにはソフトウェアのアップデートが必要になる場合があります。
Q3: VNN7NV04PTR-Eをどのようなシナリオで使用することをお勧めしますか？
A3: VNN7NV04PTR-Eは、リアルタイムのデータ分析、機械学習モデルのトレーニング、複雑なシミュレーションを伴う科学研究など、高い計算能力を必要とするシナリオに推奨されます。
他の人の検索用語
– 高性能コンピューティングソリューション
– クラウドコンピューティングの最適化
– データセンターの効率性向上
- 高度なサーバー技術
– エネルギー効率の高いコンピューティングハードウェア
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