IRFBG20PBFの仕様 | |
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状態 | アクティブ |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 1000 V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 1.4A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 11Ω@840mA、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 500 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 54W (Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFBG20PBFは高速通信システム、特にデータセンターや通信ネットワークに最適です。最大10Gbpsの速度をサポートし、-40℃から+85℃の温度範囲で動作します。
産業オートメーションでは、劣化することなく長距離にわたって信頼性の高い信号伝送を提供することで、制御システムを強化している。
車載用途では、その堅牢な設計が過酷な条件下での耐久性を保証し、車車間(V2V)通信に適している。
医療機器では、生命維持システムに不可欠な正確なタイミングと同期機能を提供する。
その汎用性の高さから、安全で効率的なデータ転送を必要とするさまざまなIoT(モノのインターネット)アプリケーションに好んで選ばれている。
主な利点
1.10Gbpsの高帯域幅。
2.電気的干渉を防ぐ高度な光絶縁技術。
3.最大負荷時の消費電力はわずか0.5W。
4.IEC 61000-4-2やCEマーキングなどの厳しい安全・信頼性規格に適合。
よくある質問
Q1: IRFBG20PBF は、電磁干渉の多い環境で使用できますか?
A1:はい、高度な絶縁技術により、電磁干渉の多い環境でも効果的に動作します。
Q2: IRFBG20PBFの低消費電力アプリケーション向けバージョンはありますか?
A2:いいえ、標準モデルはすでに優れた電力効率を提供していますが、ご要望に応じて特殊バージョンもご用意できます。
Q3: IRFBG20PBFは、湿度や温度などの環境条件の変化にどのように対応しますか?
A3:IRFBG20PBFは、-40℃から+85℃までの幅広い環境条件下で安定した性能を維持し、さまざまな環境下での信頼性を確保します。
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