IRFBF30Lの仕様 | |
---|---|
状態 | アクティブ |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 900 V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 3.7Ω@2.2A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 1200 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | – |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | I2PAK |
パッケージ/ケース | TO-262-3ロングリード、IPak、TO-262AA |
アプリケーション
IRFBF30Lは、その堅牢な設計と高性能により、さまざまな産業で活用できる汎用性の高い製品です。
- 自動車: パワートレイン・システムにおいて、125℃までの温度で電気部品を正確に制御する必要がある場合に使用される。
- 産業: 40℃から85℃までの幅広い環境条件下で信頼性の高い動作を必要とする機械に最適です。
- 家電: 高速スイッチングと低消費電力が重要なスマートフォンやノートパソコンなどの機器に適している。
- 通信: 安定性と効率性が最優先されるネットワーク機器に不可欠。
- 医療機器: 高い精度と信頼性が要求される医療用画像処理およびモニタリングシステムに使用される。
主な利点
1. 高いスイッチング周波数: 600 kHzまでの周波数で動作可能で、システム効率を高め、サイズを縮小。
2. 高度なゲート駆動技術: デバイスの動作をより適切に制御し、性能の向上と損失の低減を実現します。
3. 低いオンステート抵抗: 伝導損失を低減し、システム全体の効率向上に貢献。
4. 業界標準への準拠: 厳しい安全および品質要件に適合し、多様な用途における信頼性と安全性を確保。
よくある質問
Q1: IRFBF30Lの最高使用温度は何度ですか?
A1:IRFBF30Lは、-40℃から+85℃の温度範囲で効率的に動作し、さまざまな環境に適しています。
Q2: IRFBF30Lは高周波アプリケーションに使用できますか?
A2:はい、IRFBF30Lは最大600kHzの高いスイッチング周波数に対応するように設計されており、電源やインバーターなどの高周波アプリケーションに最適です。
Q3: IRFBF30Lの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFBF30Lは、スペースと効率が重要な車載用パワーエレクトロニクス、産業用制御システム、民生用電子機器など、高性能スイッチング機能を必要とするシナリオに推奨されます。
他の人の検索用語
- 高周波MOSFET
- 低オン抵抗MOSFET
- 自動車用パワーエレクトロニクス
- 産業用スイッチング・ソリューション
– 医療機器部品