IRFBC30Sの仕様 | |
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状態 | 廃止 |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 2.2Ω@2.2A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 660 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 3.1W(Ta)、74W(Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 表面実装 |
サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK (TO-263) |
パッケージ/ケース | TO-263-3、DPak(2リード+タブ)、TO-263AB |
アプリケーション
IRFBC30Sは、その堅牢な設計と高性能により、さまざまな産業で活用できる汎用性の高い製品です。
- 自動車: パワーエレクトロニクスシステムに使用され、燃費向上と排出ガス抑制を実現。
- 産業: 電気信号の精密な制御を必要とする機械に適用される。
- 家電: スマートフォンやノートパソコンなど、バッテリー管理を向上させる機器に搭載されている。
- 通信: 信頼性の高い信号伝送のためにネットワーク機器に使用される。
- 再生可能エネルギー: エネルギー変換を最適化するためにソーラー・インバータに採用されている。
動作温度: -40℃~+125℃
主な利点
1.**IRFBC30Sは最大30Aの電流を扱うことができ、ハイパワーアプリケーションに適しています。
2.**先進のゲート駆動技術:** このユニークな機能により、効率的なスイッチング速度が得られ、伝導損失が低減されます。
3.**IRFBC30Sは、25℃においてRDS(on)が6m;であり、電力効率に優れています。
4.**認証基準:** IEC、UL、CEなどの厳しい業界認証に適合し、信頼性と安全性を確保します。
よくある質問
Q1: IRFBC30Sの標準的なRDS(on)値はどのくらいですか?
A1: IRFBC30Sの標準的なRDS(on)値は、25℃で6m¸です。
Q2: IRFBC30Sは高周波用途に使用できますか?
A2:はい、高度なゲート駆動技術は高周波動作をサポートしており、高速スイッチング速度を必要とするアプリケーションに有益です。
Q3: IRFBC30Sをどのような場面で使用することをお勧めしますか?
A3:IRFBC30Sは、車載用パワーエレクトロニクスや産業機械など、大電流ハンドリングが要求される用途にお勧めします。
他の人の検索用語
– 高電流MOSFET
- アドバンスト・ゲート・ドライブMOSFET
- 低RDS(オン)MOSFET
- 工業用MOSFET
- 車載用MOSFET