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IRFBC30S

部品番号 IRFBC30S
メーカー ビシェイ / シリコニクス
説明 モスフェットNch 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30Sの価格
IRFBC30Sの仕様
状態 廃止
パッケージ チューブ
サプライヤー ビシェイ・シリコニクス
FETタイプ Nチャネル
テクノロジー MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース電圧(Vdss) 600V
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C 3.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Rds On (Max) @ Id、Vgs 2.2Ω@2.2A、10V
Vgs(th) (最大) @ Id 4V @ 250A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Vgs(最大) 20V
入力容量(Ciss)(最大)@Vds 660 pF @ 25 V
FET機能
消費電力(最大) 3.1W(Ta)、74W(Tc)
動作温度 -55℃~150℃(TJ)
取り付けタイプ 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3、DPak(2リード+タブ)、TO-263AB

アプリケーション

IRFBC30Sは、その堅牢な設計と高性能により、さまざまな産業で活用できる汎用性の高い製品です。

  • 自動車: パワーエレクトロニクスシステムに使用され、燃費向上と排出ガス抑制を実現。
  • 産業: 電気信号の精密な制御を必要とする機械に適用される。
  • 家電: スマートフォンやノートパソコンなど、バッテリー管理を向上させる機器に搭載されている。
  • 通信: 信頼性の高い信号伝送のためにネットワーク機器に使用される。
  • 再生可能エネルギー: エネルギー変換を最適化するためにソーラー・インバータに採用されている。

動作温度: -40℃~+125℃

主な利点

1.**IRFBC30Sは最大30Aの電流を扱うことができ、ハイパワーアプリケーションに適しています。

2.**先進のゲート駆動技術:** このユニークな機能により、効率的なスイッチング速度が得られ、伝導損失が低減されます。

3.**IRFBC30Sは、25℃においてRDS(on)が6m;であり、電力効率に優れています。

4.**認証基準:** IEC、UL、CEなどの厳しい業界認証に適合し、信頼性と安全性を確保します。

よくある質問

Q1: IRFBC30Sの標準的なRDS(on)値はどのくらいですか?

A1: IRFBC30Sの標準的なRDS(on)値は、25℃で6m¸です。

Q2: IRFBC30Sは高周波用途に使用できますか?

A2:はい、高度なゲート駆動技術は高周波動作をサポートしており、高速スイッチング速度を必要とするアプリケーションに有益です。

Q3: IRFBC30Sをどのような場面で使用することをお勧めしますか?

A3:IRFBC30Sは、車載用パワーエレクトロニクスや産業機械など、大電流ハンドリングが要求される用途にお勧めします。

他の人の検索用語

– 高電流MOSFET
- アドバンスト・ゲート・ドライブMOSFET
- 低RDS(オン)MOSFET
- 工業用MOSFET
- 車載用MOSFET

調達上の利点

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