IRFBC30の仕様 | |
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状態 | 廃止 |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 2.2Ω@2.2A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 660 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 74W (Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFBC30は、その堅牢な設計と高い性能により、様々な産業分野に適用できる汎用性の高い製品です。
- 自動車: パワーエレクトロニクスシステムに使用され、175℃までの温度で信頼性の高いスイッチングソリューションを提供します。
- 産業: 機械制御基板に最適で、大電流処理と高速スイッチング速度をサポートします。
- 家電: スマートフォンやノートパソコンによく搭載されており、効率的な電力管理機能を提供する。
- 通信: さまざまな環境条件下で安定した動作を保証する基地局装置に不可欠。
- 再生可能エネルギー: 太陽光発電や風力発電システムのインバーターやコンバーターに適しており、高効率の電力変換をサポートします。
主な利点
1. 高いスイッチング周波数: 600 kHzまでの周波数で動作可能なため、より小型でコンパクトな設計が可能。
2. 高度なゲート駆動技術: 信頼性を向上させ、外付け部品を削減するゲート駆動回路を内蔵。
3. 低伝導損失: 低オン抵抗設計により、動作時の電力損失を大幅に低減。
4. 業界標準への準拠: IEC、UL、CEなどの厳しい安全・品質認証に適合しており、世界市場で受け入れられています。
よくある質問
Q1: IRFBC30の最高使用温度は何度ですか?
A1:IRFBC30は、-55℃から175℃までの幅広い温度範囲で効果的に動作し、過酷な環境に適しています。
Q2: IRFBC30は、ヒートシンクを追加することなく、他のコンポーネントと組み合わせて使用できますか?
A2: はい、IRFBC30には高度な熱管理機能が搭載されており、冷却装置を追加せずに他のコンポーネントと一緒に使用した場合でも、効率的な放熱が可能です。
Q3: IRFBC30を他のコンポーネントと比較して、どのようなシナリオで使用することをお勧めしますか?
A3:IRFBC30は、インバータ回路や高速デジタル信号処理など、高周波スイッチングを必要とするアプリケーションに推奨され、その優れたスイッチング速度と効率は大きなメリットをもたらします。
他の人の検索用語
- 高周波MOSFET
- 低導通損失MOSFET
- 車載グレードMOSFET
- 産業用MOSFET
- 家電用MOSFET