IRFB7440PBFの仕様 | |
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状態 | アクティブ |
シリーズ | HEXFET?、StrongIRFET? |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | インフィニオンテクノロジーズ |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 40 V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 120A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V、10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 2.5mΩ@100A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 3.9V @ 100A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 4730 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 143W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB7440PBFは、高速スイッチング速度と低伝導損失を必要とする高性能スイッチング・アプリケーションに最適です。IRFB7440PBFは、大電流密度に対応し、高周波で効率的に動作するため、力率改善回路、LEDドライバ回路、DC/DCコンバータによく使用されます。
産業環境では、正確な電圧レギュレーションと効率的なエネルギー変換が重要な可変速ドライブやモーター制御システムなどのアプリケーションをサポートします。このデバイスは-40℃から+125℃までの広い温度範囲で動作し、過酷な環境と標準的な産業環境の両方に適しています。
主な利点
1.高速スイッチング:IRFB7440PBFは、LEDドライバやスイッチング・レギュレータなどの高周波アプリケーションに不可欠な超高速スイッチング時間を特長としています。
2.低伝導損失:RDS(on)が6mΩと低く、動作時の電力損失を最小限に抑え、システム全体の効率を高めます。
3.高電流密度:最大80Aの連続電流に対応し、過熱の心配のないハイパワーアプリケーション用に設計されています。
4.認証IRFB7440PBFは、IEC、UL、CEを含むさまざまな業界標準に準拠しており、さまざまな市場でのコンプライアンスと安全性を保証します。
よくある質問
Q1: IRFB7440PBFの最高動作温度を教えてください。
A1:IRFB7440PBFの最大動作温度は+125℃であり、過酷な条件下でも有効に機能します。
Q2: IRFB7440PBFは、高いスイッチング周波数を必要とするアプリケーションに使用できますか?
A2:はい、IRFB7440PBFは高周波アプリケーション用に特別に設計されており、1MHzまでの周波数で優れた性能を発揮します。
Q3: IRFB7440PBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFB7440PBFは、LED照明システムなど、高速スイッチングが要求されるシナリオで、高速応答と最小限の電力損失が不可欠な場合に推奨されます。
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