IRFB7440GPBFの仕様 | |
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状態 | 廃止 |
シリーズ | HEXFET?、StrongIRFET? |
パッケージ | バルク、チューブ |
サプライヤー | ロチェスター エレクトロニクス、LLC、インフィニオンテクノロジーズ |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 40 V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 120A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V、10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 2.5mΩ@100A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 3.9V @ 100A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 135 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 4730 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 208W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB7440GPBFは、高速スイッチングと低伝導損失を必要とする高性能スイッチング・アプリケーションに最適です。IRFB7440GPBFは、大電流密度に対応し、高周波で効率的に動作するため、力率改善回路、LEDドライバ回路、DC/DCコンバータによく使用されます。
産業環境では、正確な電圧レギュレーションと高効率が重要な可変速ドライブやモーター制御システムなどのアプリケーションをサポートします。デバイスは-40℃から+125℃までの広い温度範囲で動作し、過酷な環境と標準的な産業条件の両方に適しています。
主な利点
1.高速スイッチング:IRFB7440GPBFは、LEDドライバやスイッチング・レギュレータなどの高周波アプリケーションに不可欠な超高速スイッチング時間を特長としています。
2.低伝導損失:RDS(on)0.06(25℃)を実現し、動作時のエネルギーロスを最小限に抑え、システム全体の効率を高めます。
3.高電流密度:最大8Aの連続電流に対応し、過熱の心配のないハイパワーアプリケーション用に設計されています。
4.認証IRFB7440GPBFは、安全規格IEC 60950-1や欧州市場向けのCEマーキングなど、厳しい業界基準を満たしています。
よくある質問
Q1: IRFB7440GPBFの最高動作温度を教えてください。
A1:IRFB7440GPBFの最大動作温度は+125℃であり、過酷な条件下でも信頼性の高い性能を発揮します。
Q2: IRFB7440GPBFは高信頼性を必要とするアプリケーションに使用できますか?
A2:はい、IRFB7440GPBFは堅牢な構造で設計されており、国際的な安全規格に適合しているため、重要なアプリケーションで高い信頼性を発揮します。
Q3: IRFB7440GPBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFB7440GPBFは、LED照明システムや力率改善回路など、高周波スイッチングを伴うシナリオに推奨され、その高速スイッチング能力と低伝導損失は、従来のMOSFETよりも大きな利点をもたらします。
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