| IRFB7434GPBFの仕様 | |
|---|---|
| 状態 | 廃止 |
| シリーズ | HEXFET？、StrongIRFET？ |
| パッケージ | バルク、チューブ |
| サプライヤー | ロチェスター エレクトロニクス、LLC、インフィニオンテクノロジーズ |
| FETタイプ | Nチャネル |
| テクノロジー | MOSFET（金属酸化物） |
| ドレイン-ソース電圧（Vdss） | 40 V |
| 電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 195A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V、10V |
| Rds On (Max) @ Id、Vgs | 1.6mΩ@100A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 3.9V @ 250A |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 324 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | 20V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@Vds | 10820 pF @ 25 V |
| FET機能 | – |
| 消費電力（最大） | – |
| 動作温度 | – |
| 取り付けタイプ | 貫通穴 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-3 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB7434GPBFは、順方向電圧降下が低く、スイッチング時間が速いため、高周波スイッチング・アプリケーションに最適です。IRFB7434GPBFは、効率と速度が重要な電源回路によく使用されます。このコンポーネントは、-40℃から+125℃までの幅広い温度範囲で効果的に動作し、さまざまな産業環境に適しています。
主な利点
1.低い順方向電圧降下 (Vf)：IRFB7434GPBFは順方向電圧降下が非常に低く、動作時のエネルギー損失を低減します。
2.高速スイッチング速度：標準的なスイッチング時間は1 ns未満で、システム性能への影響を最小限に抑えます。
3.高効率：その設計により、標準条件下で全負荷時の効率は最大98%です。
4.CEおよびRoHS対応：このデバイスは、欧州連合の安全および環境基準を満たしています。
よくある質問
Q1: IRFB7434GPBFは大電力アプリケーションに使用できますか？
A1：はい、IRFB7434GPBFは高電流定格と低熱抵抗により、大電力アプリケーションを効率的に処理できます。
Q2: 他のコンポーネントとの互換性に関する具体的な問題はありますか?
A2：IRFB7434GPBFは、ほとんどの標準的なロジック・ゲートおよびMOSFETと互換性がありますが、適切な動作を保証するためにゲート駆動レベルを慎重に考慮する必要があります。
Q3: IRFB7434GPBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3: IRFB7434GPBFは、高速デジタル信号処理システムでの使用を推奨します。
他の人の検索用語
- 低順電圧降下MOSFET
- 高速スイッチングMOSFET
- 工業用MOSFET
- 高効率MOSFET
- CEおよびRoHS対応MOSFET
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