IRFB5615PBFの仕様 | |
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状態 | アクティブ |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | インフィニオンテクノロジーズ |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 150V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 35A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 39mΩ@21A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 5V @ 100A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 1750 pF @ 50 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 144W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB5615PBFは、高速スイッチング速度と低導通損失を必要とする高性能スイッチング・アプリケーションに最適です。高速動作と効率的な性能により、力率改善回路、LEDドライバ回路、DC/DCコンバータによく使用されます。
産業用では、モーターの回転数を正確に制御することが重要な可変周波数ドライブ(VFD)などのアプリケーションをサポートします。このデバイスは、-40℃から+125℃までの幅広い温度範囲で効果的に動作し、様々な環境下での信頼性を保証します。
車載アプリケーションでは、IRFB5615PBFは効率的なエネルギー管理システムを実現し、燃費向上と排出ガス削減に貢献します。堅牢な設計により、車載電子機器によく見られる過酷な条件にも適しています。
主な利点
1.高速スイッチング: IRFB5615PBFは、最大スイッチング時間7nsを実現し、高周波アプリケーションで高い効果を発揮します。
2.独自のアーキテクチャ電磁干渉(EMI)に対するデバイスの耐性を高める独自のゲート駆動技術を採用。
3.電力効率データ:25℃においてRDS(on)8mΩを実現し、動作時の電力損失を大幅に低減。
4.認証基準:IEC、CE、RoHS準拠などの厳しい業界認証に適合しており、多様な市場での安全で信頼性の高い使用を保証します。
よくある質問
Q1: IRFB5615PBFの標準的なRDS(on)値を教えてください。
A1:IRFB5615PBFの標準的なRDS(on)値は25℃において8m¸であり、高い電力効率に寄与しています。
Q2: IRFB5615PBFは車載アプリケーションに使用できますか?
A2:はい、IRFB5615PBFは車載環境の厳しい要件を満たすように設計されており、過酷な条件下でも信頼性の高い性能を発揮します。
Q3: IRFB5615PBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFB5615PBFは、VFD、LEDドライバ、DC/DCコンバータなど、特に製造、通信、再生可能エネルギーなどの業界で、高速スイッチングと低電力損失を必要とするシナリオに推奨されます。
他の人の検索用語
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- 効率的な電力変換ソリューション