IRFB4610PBFの仕様 | |
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状態 | 新しいデザインには適していません |
シリーズ | HEXFET? |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | インフィニオンテクノロジーズ |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 100 V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 73A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 14mΩ@44A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 100A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 3550 pF @ 50 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 190W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB4610PBFは、高速スイッチング速度と低導通損失を必要とする高性能スイッチング・アプリケーションに最適です。高速動作と効率的な性能により、力率改善回路、LEDドライバ回路、DC/DCコンバータによく使用されます。
産業用では、モーター速度の正確な制御が重要な可変周波数ドライブ(VFD)などのアプリケーションをサポートします。IRFB4610PBFは広い温度範囲(-55℃~+175℃)で効果的に動作し、自動車や船舶システムのような過酷な環境に適しています。
民生用電子機器では、ノートパソコンやスマートフォンの電源の効率を高め、発熱の低減とエネルギー変換率の向上を通じてバッテリーの長寿命化に貢献する。
主な利点
1.高速スイッチング速度: IRFB4610PBFは、最大スイッチング時間8nsを実現し、高周波スイッチング・アプリケーションに不可欠な高速応答時間を可能にします。
2.独自のアーキテクチャ寄生容量を低減する独自のゲート駆動技術を採用し、部品サイズを増加させることなく、全体的なスイッチング性能を向上させています。
3.電力効率データ:IRFB4610PBFは、25℃におけるRDS(on)が1.9mΩと、導通時の電力損失を最小限に抑え、システム効率を向上させます。
4.認証規格:このデバイスは、IEC、UL、CEを含むさまざまな業界標準に準拠しており、さまざまな市場で信頼性と安全性を保証します。
よくある質問
Q1: IRFB4610PBFの標準的なRDS(on)値を教えてください。
A1: IRFB4610PBFの標準的なRDS(on)値は25℃において1.9m¦¸であり、電力効率に大きく寄与しています。
Q2: IRFB4610PBFは車載アプリケーションに使用できますか?
A2: はい、IRFB4610PBFは車載環境で要求される極端な温度範囲(-40℃~+150℃)で動作するように設計されており、車載電源管理システムでの使用に適しています。
Q3: IRFB4610PBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3: IRFB4610PBFは、サーバーや通信機器の高周波電源設計など、高速スイッチングと低電力損失を必要とするシナリオに推奨されます。
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