IRFB4510GPBFの仕様 | |
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状態 | 廃止 |
シリーズ | HEXFET? |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | インフィニオンテクノロジーズ |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 100 V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 62A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 13.5mΩ@37A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 100A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 3180 pF @ 50 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 140W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB4510GPBFは、オン抵抗が低く、スイッチング速度が速いため、ハイパワーのスイッチング・アプリケーションに最適です。力率改善回路、LEDドライバ回路、DC/DCコンバータによく使用されます。
産業環境では、175℃までの温度での連続動作に対応しており、自動車や航空宇宙アプリケーションのような過酷な環境に適しています。
民生用電子機器では、そのコンパクトなサイズと効率的な性能により、高い電力密度を必要とする携帯機器に好んで選ばれている。
技術的パラメータ:
- 作動温度: -55ºãC to +175ºãC
- スイッチング周波数最大60kHz
- オンステート抵抗:最大0.08
主な利点
1.低オン抵抗:IRFB4510GPBFは、利用可能な中で最も低いオン状態抵抗の1つを提供し、導通損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させます。
2.先進のゲート駆動回路:このユニークなアーキテクチャは、最適なゲート駆動性能を保証し、スイッチング速度と信頼性を向上させます。
3.高効率:98%を超える標準的な効率を持つIRFB4510GPBFは、動作中のエネルギー損失を最小限に抑え、高いコスト効率を実現します。
4.CE、UL、RoHS認証:このデバイスは、国際的な安全および環境基準に準拠しており、さまざまな市場で安全かつ準拠した使用を保証します。
よくある質問
Q1: IRFB4510GPBFの最高使用温度を教えてください。
A1:IRFB4510GPBFは175℃まで連続動作が可能で、高温アプリケーションに適しています。
Q2: IRFB4510GPBFは車載アプリケーションに使用できますか?
A2:はい、IRFB4510GPBFは車載規格に適合するように設計されており、パワーエレクトロニクスや制御システムなど、さまざまな車載部品に使用できます。
Q3: IRFB4510GPBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFB4510GPBFは、高周波スイッチング電源やインバータ回路など、高い電力処理能力と効率を必要とする場面に推奨されます。
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