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IRFB4510GPBF

部品番号 IRFB4510GPBF
メーカー インフィニオンテクノロジーズ
説明 MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
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IRFB4510GPBFの価格
IRFB4510GPBFの仕様
状態 廃止
シリーズ HEXFET?
パッケージ チューブ
サプライヤー インフィニオンテクノロジーズ
FETタイプ Nチャネル
テクノロジー MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース電圧(Vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C 62A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Rds On (Max) @ Id、Vgs 13.5mΩ@37A、10V
Vgs(th) (最大) @ Id 4V @ 100A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Vgs(最大) 20V
入力容量(Ciss)(最大)@Vds 3180 pF @ 50 V
FET機能
消費電力(最大) 140W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ 貫通穴
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

アプリケーション

IRFB4510GPBFは、オン抵抗が低く、スイッチング速度が速いため、ハイパワーのスイッチング・アプリケーションに最適です。力率改善回路、LEDドライバ回路、DC/DCコンバータによく使用されます。

産業環境では、175℃までの温度での連続動作に対応しており、自動車や航空宇宙アプリケーションのような過酷な環境に適しています。

民生用電子機器では、そのコンパクトなサイズと効率的な性能により、高い電力密度を必要とする携帯機器に好んで選ばれている。

技術的パラメータ:

  • 作動温度: -55ºãC to +175ºãC
  • スイッチング周波数最大60kHz
  • オンステート抵抗:最大0.08

主な利点

1.低オン抵抗:IRFB4510GPBFは、利用可能な中で最も低いオン状態抵抗の1つを提供し、導通損失を大幅に削減し、システム全体の効率を向上させます。

2.先進のゲート駆動回路:このユニークなアーキテクチャは、最適なゲート駆動性能を保証し、スイッチング速度と信頼性を向上させます。

3.高効率:98%を超える標準的な効率を持つIRFB4510GPBFは、動作中のエネルギー損失を最小限に抑え、高いコスト効率を実現します。

4.CE、UL、RoHS認証:このデバイスは、国際的な安全および環境基準に準拠しており、さまざまな市場で安全かつ準拠した使用を保証します。

よくある質問

Q1: IRFB4510GPBFの最高使用温度を教えてください。

A1:IRFB4510GPBFは175℃まで連続動作が可能で、高温アプリケーションに適しています。

Q2: IRFB4510GPBFは車載アプリケーションに使用できますか?

A2:はい、IRFB4510GPBFは車載規格に適合するように設計されており、パワーエレクトロニクスや制御システムなど、さまざまな車載部品に使用できます。

Q3: IRFB4510GPBFの具体的な使用シナリオを教えてください。

A3:IRFB4510GPBFは、高周波スイッチング電源やインバータ回路など、高い電力処理能力と効率を必要とする場面に推奨されます。

他の人の検索用語

- 低オン抵抗MOSFET

- 車載グレードMOSFET

- 高効率パワーMOSFET

- 携帯機器用小型MOSFET

- 工業用MOSFET

調達上の利点

1. 電子メールまたは ERP システム統合により、24 時間以内に迅速な見積もり応答が保証されます。
2. グローバルエクスプレス配送オプションにより、注文確認から 48 時間以内に部品が到着します。
3. 複数の倉庫に1000万個を超える在庫を保有し、在庫の可用性を保証します。
4. 自動コンポーネントマッチングによる完全な BOM リスト調達サポート。
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