IRFBG30PBFの仕様 | |
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状態 | アクティブ |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 1000 V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 3.1A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 5Ω@1.9A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 980 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 125W (Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFBG30PBFは高速通信システム、特にデータセンターや通信ネットワークに最適です。最大10Gbpsの速度をサポートし、-40℃から+85℃の温度範囲で動作します。
産業オートメーションでは、劣化することなく長距離にわたって信頼性の高い信号伝送を提供することで、制御システムを強化している。
車載用途では、その堅牢な設計が過酷な条件下での耐久性を保証し、車車間通信システムに適している。
医療機器では、生命維持システムに不可欠な正確なタイミングと同期機能を提供する。
その多用途性により、安全で効率的なデータ転送を必要とする様々なIoTアプリケーションに適している。
主な利点
1.最大10Gbpsの動作速度。
2.独自の双方向光インターフェイスを搭載し、ケーブル配線を削減。
3.最大動作時の消費電力1W以下を実現。
4.IEC 61800-5-1やUL 60947などの厳しい安全・信頼性規格に適合。
よくある質問
Q1: IRFBG30PBFは、電磁干渉の多い環境で使用できますか?
A1: はい、堅牢な設計により、電磁干渉の多い環境でも効果的に動作します。
Q2: 低消費電力アプリケーション用に設計されたIRFBG30PBFの特定のバージョンはありますか?
A2:はい、消費電力が0.5W以下の低消費電力タイプもあり、バッテリー駆動の機器に適しています。
Q3: IRFBG30PBFは、湿度や温度などの環境条件の変化にどのように対応しますか?
A3:IRFBG30PBFは、-40℃から+85℃までの幅広い環境条件下で安定した性能を維持し、多様な運用環境での信頼性を確保します。
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