IRFBC40Sの仕様 | |
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状態 | 廃止 |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 6.2A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 1.2Ω@3.7A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 1300 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 3.1W(Ta)、130W(Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 表面実装 |
サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK (TO-263) |
パッケージ/ケース | TO-263-3、DPak(2リード+タブ)、TO-263AB |
アプリケーション
IRFBC40Sは、その堅牢な設計と高い性能により、様々な産業に応用できる汎用性の高い製品です。
- 自動車: パワーエレクトロニクスシステムに使用され、燃費向上と排出ガス抑制を実現。
- 産業: 電気信号の正確な制御を必要とする機械に最適。
- 家電: 高速スイッチング速度と低ノイズレベルを必要とする機器によく見られる。
- 通信: 現代の通信ネットワークにおける信号処理と伝送に不可欠。
- 再生可能エネルギー: 効率的なエネルギー変換のため、ソーラー・インバータや風力タービンに利用されている。
動作温度: -40℃~+125℃
主な利点
1.**高速スイッチング:** IRFBC40S は最大 600V で動作し、最大スイッチング周波数は 1MHz で、高速アプリケーションに適しています。
2.**ユニークなアーキテクチャの特徴:**パッケージサイズを大きくすることなく、電流処理能力を向上させる特許取得済みのデュアルゲート技術を採用しています。
3.**電力効率データ:*** 600Vで8m¦¸の典型的なRDS(on)を達成し、電力損失の低減に大きく貢献します。
4.**信頼性と安全性を保証するIEC、UL、CE認証を含む厳しい業界標準に適合しています。
よくある質問
Q1: IRFBC40Sの標準的なRDS(on)値はどのくらいですか?
A1: IRFBC40Sの標準的なRDS(on)値は、600Vで8m¦¸です。
Q2: IRFBC40Sは高周波用途に使用できますか?
A2: はい、IRFBC40Sは1MHzまでの周波数で効果的に動作するように設計されており、高周波アプリケーションに最適です。
Q3: IRFBC40Sの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFBC40Sは、車載用パワーエレクトロニクスや再生可能エネルギーシステムなど、高速スイッチングと低電力損失が要求されるシナリオに推奨されます。
他の人の検索用語
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