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IRFBC40S

部品番号 IRFBC40S
メーカー ビシェイ / シリコニクス
説明 モスフェットNch 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40Sの価格
IRFBC40Sの仕様
状態 廃止
パッケージ チューブ
サプライヤー ビシェイ・シリコニクス
FETタイプ Nチャネル
テクノロジー MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース電圧(Vdss) 600V
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C 6.2A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Rds On (Max) @ Id、Vgs 1.2Ω@3.7A、10V
Vgs(th) (最大) @ Id 4V @ 250A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Vgs(最大) 20V
入力容量(Ciss)(最大)@Vds 1300 pF @ 25 V
FET機能
消費電力(最大) 3.1W(Ta)、130W(Tc)
動作温度 -55℃~150℃(TJ)
取り付けタイプ 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3、DPak(2リード+タブ)、TO-263AB

アプリケーション

IRFBC40Sは、その堅牢な設計と高い性能により、様々な産業に応用できる汎用性の高い製品です。

  • 自動車: パワーエレクトロニクスシステムに使用され、燃費向上と排出ガス抑制を実現。
  • 産業: 電気信号の正確な制御を必要とする機械に最適。
  • 家電: 高速スイッチング速度と低ノイズレベルを必要とする機器によく見られる。
  • 通信: 現代の通信ネットワークにおける信号処理と伝送に不可欠。
  • 再生可能エネルギー: 効率的なエネルギー変換のため、ソーラー・インバータや風力タービンに利用されている。

動作温度: -40℃~+125℃

主な利点

1.**高速スイッチング:** IRFBC40S は最大 600V で動作し、最大スイッチング周波数は 1MHz で、高速アプリケーションに適しています。

2.**ユニークなアーキテクチャの特徴:**パッケージサイズを大きくすることなく、電流処理能力を向上させる特許取得済みのデュアルゲート技術を採用しています。

3.**電力効率データ:*** 600Vで8m¦¸の典型的なRDS(on)を達成し、電力損失の低減に大きく貢献します。

4.**信頼性と安全性を保証するIEC、UL、CE認証を含む厳しい業界標準に適合しています。

よくある質問

Q1: IRFBC40Sの標準的なRDS(on)値はどのくらいですか?

A1: IRFBC40Sの標準的なRDS(on)値は、600Vで8m¦¸です。

Q2: IRFBC40Sは高周波用途に使用できますか?

A2: はい、IRFBC40Sは1MHzまでの周波数で効果的に動作するように設計されており、高周波アプリケーションに最適です。

Q3: IRFBC40Sの具体的な使用シナリオを教えてください。

A3:IRFBC40Sは、車載用パワーエレクトロニクスや再生可能エネルギーシステムなど、高速スイッチングと低電力損失が要求されるシナリオに推奨されます。

他の人の検索用語

- 車載用高速MOSFET

- 産業機器における低損失MOSFET

- 家電用高速スイッチングMOSFET

- 通信インフラにおける信頼性の高いMOSFET

- 再生可能エネルギー・ソリューションのための高効率MOSFET

調達上の利点

1. 電子メールまたは ERP システム統合により、24 時間以内に迅速な見積もり応答が保証されます。
2. グローバルエクスプレス配送オプションにより、注文確認から 48 時間以内に部品が到着します。
3. 複数の倉庫に1000万個を超える在庫を保有し、在庫の可用性を保証します。
4. 自動コンポーネントマッチングによる完全な BOM リスト調達サポート。
5. テスト用に無料サンプルをご用意しています。大量注文の場合は段階的な価格割引が適用されます。

安全な支払い
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