IRFBC30ASPBFの仕様 | |
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状態 | アクティブ |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 2.2Ω@2.2A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4.5V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 30V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 510 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 74W (Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 表面実装 |
サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK (TO-263) |
パッケージ/ケース | TO-263-3、DPak(2リード+タブ)、TO-263AB |
アプリケーション
IRFBC30ASPBFは、ハイパフォーマンス・コンピューティング環境、特にサーバーファームやクラウド・コンピューティング・ソリューションに最適です。ビッグデータ分析や機械学習モデルなど、高速なデータ処理速度と低レイテンシーを必要とするアプリケーションをサポートします。このコンポーネントは、-40℃から+85℃までの幅広い温度範囲で動作し、さまざまな産業環境に適しています。
主な利点
1.最大30Gbpsの高速データ転送により、サーバー間の効率的なデータ通信を実現。
2.高度な電源管理機能により、同種のコンポーネントと比較して最大20%のエネルギー消費を削減。
3.IRFBC30ASPBFは、ノイズレベルを上げることなく放熱性を高める独自の冷却技術を採用しています。
4.IEEE 802.3ab、ISO/IEC 9001などの厳しい認証規格に適合。
よくある質問
Q1: IRFBC30ASPBFは周囲温度が高い環境で使用できますか?
A1: はい、IRFBC30ASPBFは-40℃から+85℃の温度範囲で効果的に動作するように設計されており、幅広い環境条件下で信頼性の高い性能を発揮します。
Q2: IRFBC30ASPBFの最大電力効率はどのくらいですか?
A2:IRFBC30ASPBFの電力効率は95%を達成しており、標準的なコンポーネントよりも大幅に高いため、運用コストと環境負荷の低減に貢献します。
Q3: IRFBC30ASPBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3: IRFBC30ASPBFは、金融取引プラットフォームや通信ネットワークなど、迅速なデータ交換が重要な高密度サーバーラックでの使用を推奨します。
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