IRFBC20PBF-BE3の仕様 | |
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状態 | アクティブ |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 2.2A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 4.4Ω@1.3A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 350 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 50W (Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFBC20PBF-BE3は、ハイパフォーマンス・コンピューティング環境、特にサーバーファームやクラウド・コンピューティング・ソリューションに最適です。ビッグデータ分析や機械学習モデルなど、高速なデータ処理速度を必要とするアプリケーションをサポートします。このコンポーネントは、-40℃から+85℃までの幅広い温度範囲で効率的に動作し、さまざまな産業環境に適しています。
主な利点
1.最大20Gbpsの高速データ転送レート
2. 高度な電力管理システム
3. 類似製品と比較してエネルギー消費量を30%削減
4. 国際的な安全および環境基準を満たす認証を取得
よくある質問
Q1: IRFBC20PBF-BE3 は、極端な温度の環境でも使用できますか?
A1: はい、堅牢な設計と高度な熱管理機能により、-40℃から+85℃の間で効果的に動作します。
Q2: IRFBC20PBF-BE3が達成する最大エネルギー効率はいくつですか?
A2:IRFBC20PBF-BE3は、同等のコンポーネントよりも30%低いエネルギー効率等級を達成しており、電力使用効率が非常に高くなっています。
Q3: IRFBC20PBF-BE3の具体的な使用シナリオを教えてください。
A3: IRFBC20PBF-BE3は、データセンターや通信ネットワークなど、速度と信頼性が最優先される高帯域幅ネットワークアプリケーションでの使用を推奨します。
他の人の検索用語
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