IRFBC20の仕様 | |
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状態 | 廃止 |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 2.2A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 4.4Ω@1.3A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 350 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 50W (Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFBC20は、その堅牢な設計と高い性能により、様々な産業分野に適用できる汎用性の高い製品です。
- 自動車: 先進運転支援システム(ADAS)や電気自動車(EV)のパワーエレクトロニクスに使用され、-40~+125℃の温度範囲で動作する。
- 産業: 25℃から+85℃までの温度範囲で正確で信頼性の高いスイッチング動作を必要とする機械制御システムに最適です。
- 家電: スマートホームデバイスやポータブル電子機器に適しており、-10℃から+65℃の間で安定した動作を保証します。
主な利点
1.**高スイッチング速度: ** IRFBC20 は超高速スイッチング時間を特長とし、最小限のエネルギー損失を必要とする高周波アプリケーションに最適です。
2.**特許取得済みの冷却システムを搭載し、熱管理を強化することで、デバイスの寿命と信頼性を大幅に向上。
3.**電力効率データ: **室温で1W未満という驚異的な電力損失を示し、エネルギー効率の高い設計に貢献します。
4.**認証規格:** CE、UL、IECを含む厳しい国際安全・品質規格に適合し、コンプライアンスと信頼性を保証します。
よくある質問
Q1: IRFBC20 の最高使用温度範囲は?
A1:IRFBC20は、-40℃から+125℃の広い温度範囲で効率的に動作し、多様な環境に適しています。
Q2: IRFBC20は、他のコンポーネントと組み合わせても問題なく使用できますか?
A2: はい、IRFBC20は、ほとんどの標準的な電子部品とシームレスに動作するように設計されているため、互換性があり、既存のシステムに簡単に統合できます。
Q3: IRFBC20の具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFBC20は、高性能コンピューティング、再生可能エネルギーシステム、車載エレクトロニクスなど、高速スイッチングと低消費電力を必要とするアプリケーションに推奨されます。
他の人の検索用語
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