| IRFB9N65Aの仕様 | |
|---|---|
| 状態 | 廃止 |
| パッケージ | チューブ |
| サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
| FETタイプ | Nチャネル |
| テクノロジー | MOSFET（金属酸化物） |
| ドレイン-ソース電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 8.5A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| Rds On (Max) @ Id、Vgs | 930mΩ@5.1A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | 30V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@Vds | 1417 pF @ 25 V |
| FET機能 | – |
| 消費電力（最大） | 167W (Tc) |
| 動作温度 | -55℃～150℃（TJ） |
| 取り付けタイプ | 貫通穴 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB9N65Aは、車載アプリケーションの高性能電源管理システムに最適で、-40～+150℃の極端な温度下でも堅牢な性能を発揮します。
産業用では、最大1MHzの高速スイッチングを必要とするモーター制御回路に最適です。
民生用電子機器では、そのコンパクトなサイズと高効率がノートパソコンやスマートフォンの電源に適している。
高電流密度を扱う能力により、照明ソリューションのLEDドライバーに最適です。
IRFB9N65Aは、さまざまな周囲温度での信頼性と効率性により、ソーラー・インバータのような再生可能エネルギー・システムにも応用されている。
主な利点
1.使用温度範囲：-40℃～+150
2.高度なゲート駆動技術
3.効率定格：1 MHzで98%
4. CE、RoHS、UL認証
よくある質問
Q1: IRFB9N65Aの最高使用温度は何度ですか？
A1: IRFB9N65Aの最高使用温度は+150℃です。
Q2: IRFB9N65Aは湿度の高い環境で使用できますか？
A2: はい、IRFB9N65Aは湿度の高い環境でも効果的に動作するように設計されています。
Q3: IRFB9N65Aをどのようなシナリオで使用することをお勧めしますか？
A3：IRFB9N65Aは、モーター制御システム、LEDドライバー回路、高周波電源アプリケーションなど、高速スイッチングを必要とする場合に推奨されます。
他の人の検索用語
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