IRFB9N60APBF-BE3の仕様 | |
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状態 | アクティブ |
パッケージ | チューブ |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 9.2A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | – |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 750mΩ@5.5A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 30V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 1400 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 170W (Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 貫通穴 |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB9N60APBF-BE3は、高い電流処理能力と低いRDS(ON)抵抗により、ハイパワースイッチングアプリケーションに最適です。力率改善回路、DC/DCコンバータ、モータドライブシステムによく使用されます。
産業環境では、175℃までの温度での連続動作に対応しており、自動車や航空宇宙産業で見られるような過酷な環境にも適しています。
例えば、ソーラー・インバータでは、IRFB9N60APBF-BE3は、エネルギー変換効率を最大化するために重要な低損失を維持しながら、ピーク電流を効率的に処理することができる。
主な利点
1.低RDS(ON)抵抗:0.018Ω(25℃)で電圧降下が少なく、効率的な電力伝送が可能です。
2.高度なゲート駆動回路:厳しい条件下でも信頼性の高いスイッチング性能を保証する堅牢なゲート駆動信号を提供します。
3.高電流定格:最大60Aの連続定格電流で、ハイパワーアプリケーションを効果的にサポートします。
4.認証IEC、UL、CEなどの厳しい安全・信頼性規格に適合しており、さまざまなシステムに安全に組み込むことができます。
よくある質問
Q1: IRFB9N60APBF-BE3は高周波スイッチング・アプリケーションに使用できますか?
A1:はい、その高度なゲート駆動回路と低いRDS(ON)抵抗は、高周波スイッチング・アプリケーションに適しており、高速スイッチング時間とスイッチング損失の低減を実現します。
Q2: IRFB9N60APBF-BE3の最高使用温度は何度ですか?
A2:IRFB9N60APBF-BE3は175℃まで確実に動作し、高温環境に適しています。
Q3: IRFB9N60APBF-BE3をどのような場面で使用することをお勧めしますか?
A3:この部品は、大規模な配電システムや高性能モーター駆動装置など、高い電流処理能力と低い電力損失を必要とする用途に推奨される。
他の人の検索用語
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- ソーラーインバータ用低RDS(ON)MOSFET
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- 高温アプリケーション用産業用MOSFET
- DC/DCコンバータ用MOSFET