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IRFB4321GPBF

部品番号 IRFB4321GPBF
メーカー インフィニオンテクノロジーズ
説明 モスフェットNch 150V 83A~220AB
データシート IRFB4321GPBFのデータシートをPDFでダウンロードPDFアイコン
IRFB4321GPBFの価格
IRFB4321GPBFの仕様
状態 廃止
シリーズ HEXFET?
パッケージ チューブ
サプライヤー インフィニオンテクノロジーズ
FETタイプ Nチャネル
テクノロジー MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース電圧(Vdss) 150V
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C 83A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Rds On (Max) @ Id、Vgs 15mΩ@33A、10V
Vgs(th) (最大) @ Id 5V @ 250A
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Vgs(最大) 30V
入力容量(Ciss)(最大)@Vds 4460 pF @ 25 V
FET機能
消費電力(最大) 330W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ 貫通穴
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

アプリケーション

IRFB4321GPBFは、高速スイッチングと低導通損失を必要とする高性能スイッチング・アプリケーションに最適です。高速動作と効率的なスイッチング特性により、力率改善回路、LEDドライバ回路、DC/DCコンバータによく使用されます。

作動温度: -55ºãC to +125ºãC

主な利点

1.高速スイッチング:IRFB4321GPBFは超高速スイッチングを実現し、高周波アプリケーションに適しています。

2.ユニークなアーキテクチャの特徴:部品サイズを増加させることなくスイッチング性能を向上させる高度なゲート駆動技術を採用。

3.電力効率データ:様々な負荷条件下で最大98%の効率を実証し、省エネに貢献。

4.認証規格IEC60747-1-1などの厳しい業界認証に適合し、産業環境における安全性と信頼性を確保。

よくある質問

Q1: IRFB4321GPBFの最大動作周波数はいくつですか?

A1:IRFB4321GPBFは1MHzまで効率的に動作し、高周波スイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮します。

Q2: IRFB4321GPBFは既存のシステムと互換性がありますか?

A2: はい、IRFB4321GPBFはほとんどの既存システムと下位互換性があり、新しい設計に簡単に統合できます。

Q3: IRFB4321GPBFの具体的な使用シナリオを教えてください。

A3:IRFB4321GPBFは、高周波LEDドライバや力率改善回路など、効率と速度が重視される高速スイッチングが必要な場合に推奨されます。

他の人の検索用語

- 高速スイッチングMOSFET

- 効率的な力率改善ソリューション

- 先進のゲート駆動技術MOSFET

- 認証付き工業用MOSFET

- 高周波用MOSFET

調達上の利点

1. 電子メールまたは ERP システム統合により、24 時間以内に迅速な見積もり応答が保証されます。
2. グローバルエクスプレス配送オプションにより、注文確認から 48 時間以内に部品が到着します。
3. 複数の倉庫に1000万個を超える在庫を保有し、在庫の可用性を保証します。
4. 自動コンポーネントマッチングによる完全な BOM リスト調達サポート。
5. テスト用に無料サンプルをご用意しています。大量注文の場合は段階的な価格割引が適用されます。

安全な支払い
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