| IRFB4229PBFの仕様 | |
|---|---|
| 状態 | アクティブ |
| シリーズ | HEXFET？ |
| パッケージ | チューブ |
| サプライヤー | インフィニオンテクノロジーズ |
| FETタイプ | Nチャネル |
| テクノロジー | MOSFET（金属酸化物） |
| ドレイン-ソース電圧（Vdss） | 250V |
| 電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 46A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| Rds On (Max) @ Id、Vgs | 46mΩ@26A、10V |
| Vgs(th) (最大) @ Id | 5V @ 250A |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | 30V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@Vds | 4560 pF @ 25 V |
| FET機能 | – |
| 消費電力（最大） | 330W (Tc) |
| 動作温度 | -40℃～175℃（TJ） |
| 取り付けタイプ | 貫通穴 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
アプリケーション
IRFB4229PBFは、高速スイッチング速度と低伝導損失を必要とする高性能スイッチング・アプリケーションに最適です。特に、高周波での効率的なエネルギー変換が要求されるシステムの電源設計に優れています。このコンポーネントは、過酷な条件下での信頼性と性能が重要な車載アプリケーションにも適しています。
作動温度: -55ºãC to +175ºãC
主な利点
1.高速スイッチング：IRFB4229PBFは超高速スイッチングを実現し、高周波アプリケーションに最適です。
2.高度なゲート駆動回路：独自のゲート駆動回路により、デバイスを最適に制御し、全体的な性能を向上させます。
3.低伝導損失：動作中の電力損失を最小限に抑えるように設計されており、この部品は非常に効率的です。
4.CE、RoHS、UL認証：IRFB4229PBFは、厳しい国際安全・環境基準を満たしています。
よくある質問
Q1: IRFB4229PBFの最大動作周波数はいくつですか？
A1：IRFB4229PBFは最大600kHzまで効率的に動作可能で、多くの高速スイッチング・アプリケーションに最適です。
Q2: IRFB4229PBFは既存のシステムと互換性がありますか？
A2: はい、IRFB4229PBFは、類似したピン配置と電気的特性により、ほとんどの既存システムと下位互換性があります。
Q3: IRFB4229PBFの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3：IRFB4229PBFは、モバイル機器用DC/DCコンバータや再生可能エネルギーシステム用インバータ回路など、高周波スイッチングを必要とするシナリオに推奨されます。
他の人の検索用語
- 高速スイッチングMOSFET
- 車載グレードMOSFET
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- 効率的な電源スイッチ
- 工業用MOSFET
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