IRFBC30STRLの仕様 | |
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状態 | アクティブ |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
サプライヤー | ビシェイ・シリコニクス |
FETタイプ | Nチャネル |
テクノロジー | MOSFET(金属酸化物) |
ドレイン-ソース電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 連続ドレイン電流 (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
Rds On (Max) @ Id、Vgs | 2.2Ω@2.2A、10V |
Vgs(th) (最大) @ Id | 4V @ 250A |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | 20V |
入力容量(Ciss)(最大)@Vds | 660 pF @ 25 V |
FET機能 | – |
消費電力(最大) | 3.1W(Ta)、74W(Tc) |
動作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
取り付けタイプ | 表面実装 |
サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK (TO-263) |
パッケージ/ケース | TO-263-3、DPak(2リード+タブ)、TO-263AB |
アプリケーション
IRFBC30STRLは、ハイパフォーマンス・コンピューティング環境、特にスペースと電力効率が重要なサーバーラック向けに設計されています。高速なスイッチング速度と低レイテンシーを必要とするデータセンターで威力を発揮し、複数のサーバー間で一貫したパフォーマンスが求められるクラウド・コンピューティング・プラットフォームに最適です。
産業用オートメーションシステムにおいて、IRFBC30STRLは信頼性の高い電源管理ソリューションを提供し、温度制御や安全プロトコルなどの厳しい動作要件を持つ機械をサポートします。その堅牢な設計は、過酷な条件下でも長寿命を保証します。
車載用途、特に電気自動車では、IRFBC30STRLは効率的な配電を実現し、過熱することなくバッテリーの充放電サイクルを管理するのに重要です。
動作温度: -40℃~+85℃
主な利点
1.高いスイッチング周波数:IRFBC30STRLは最大600kHzで動作し、より高速なスイッチング時間を実現することで、導通損失を低減し、システム全体の効率を向上させます。
2.高度なゲート駆動技術:このユニークな機能により、デバイスの動作を正確に制御することができ、複雑な回路における信頼性と性能が向上します。
3.低オン抵抗:RDS(on)が0.07 ¦¸と低く、導通時のエネルギー損失を最小限に抑え、電力変換システムの高効率化に大きく貢献します。
4.CE、UL、RoHS認証:これらの認証により、IRFBC30STRLは国際的な安全および環境基準への適合が保証され、グローバル市場に適しています。
よくある質問
Q1: IRFBC30STRLは高周波用途に使用できますか?
A1:はい、IRFBC30STRLは高周波動作用に特別に設計されており、最大600kHzのスイッチング周波数を提供します。
Q2: IRFBC30STRLの最高使用温度範囲は?
A2:IRFBC30STRLは-40℃から+85℃までの広い温度範囲で動作し、様々な環境条件下で確実に動作します。
Q3: IRFBC30STRLの具体的な使用シナリオを教えてください。
A3:IRFBC30STRLは、サーバーラック、データセンター、車載アプリケーションなど、高速スイッチングを伴うシナリオで、迅速な応答と最小限の電力損失が不可欠な場合に推奨されます。
他の人の検索用語
- サーバーラック用高周波MOSFET
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- 電力変換システム用低オン抵抗MOSFET