Keranjang Belanja

Tidak ada produk di keranjang.

IRFBC40S

Nomor Bagian IRFBC40S
Pabrikan Vishay / Siliconix
Keterangan MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Harga untuk IRFBC40S
Spesifikasi IRFBC40S
Status Usang
Kemasan Tabung
Pemasok Vishay Siliconix
Jenis FET Saluran N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) Tegangan 600V
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C 6.2A (Tc)
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 250A
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Vgs (Maks) tegangan 20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Fitur FET
Disipasi Daya (Maks) 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Suhu Operasional -55C ~ 150C (Suhu Rata-rata)
Jenis Pemasangan Pemasangan Permukaan
Paket Perangkat Pemasok DPAK (TO-263)
Paket / Kotak TO-263-3, DPak (2 Lead + Tab), TO-263AB

Aplikasi

IRFBC40S serbaguna dan dapat diaplikasikan di berbagai industri karena desainnya yang tangguh dan performa yang tinggi.

  • Otomotif: Digunakan dalam sistem elektronika daya untuk meningkatkan efisiensi bahan bakar dan kontrol emisi.
  • Industri: Ideal untuk mesin yang memerlukan kontrol yang tepat atas sinyal listrik.
  • Elektronik Konsumen: Umumnya ditemukan pada perangkat yang memerlukan kecepatan peralihan cepat dan tingkat kebisingan yang rendah.
  • Telekomunikasi: Penting untuk pemrosesan dan transmisi sinyal dalam jaringan komunikasi modern.
  • Energi terbarukan: Digunakan pada inverter surya dan turbin angin untuk konversi energi yang efisien.

Suhu Operasional: -40°C hingga +125°C

Keunggulan Utama

1. **Kecepatan Peralihan Tinggi:** IRFBC40S beroperasi hingga 600V dan memiliki frekuensi peralihan maksimum 1MHz, sehingga cocok untuk aplikasi berkecepatan tinggi.

2. **Fitur Arsitektur Unik:** Dilengkapi dengan teknologi gerbang ganda yang dipatenkan yang meningkatkan kapasitas penanganan saat ini tanpa meningkatkan ukuran paket.

3. **Data Efisiensi Daya:** Perangkat ini mencapai RDS (aktif) tipikal 8m¦¸ pada 600V, berkontribusi secara signifikan untuk mengurangi kehilangan daya.

4. **Standar Sertifikasi:** Memenuhi standar industri yang ketat termasuk sertifikasi IEC, UL, dan CE yang memastikan keandalan dan keamanan.

Pertanyaan yang Sering Diajukan

T1: Berapa nilai RDS (aktif) khas dari IRFBC40S?

A1: Nilai RDS (aktif) tipikal IRFBC40S adalah 8m¦¸ pada 600V.

T2: Dapatkah IRFBC40S digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi?

A2: Ya, IRFBC40S didesain untuk beroperasi secara efektif pada frekuensi hingga 1MHz, sehingga ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi.

T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFBC40S?

A3: IRFBC40S direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan kecepatan switching tinggi dan kehilangan daya yang rendah, seperti pada elektronika daya otomotif dan sistem energi terbarukan.

Istilah pencarian orang lain

- MOSFET berkecepatan tinggi untuk aplikasi otomotif

- MOSFET rugi-rendah pada peralatan industri

- MOSFET sakelar cepat untuk elektronik konsumen

- MOSFET yang andal dalam infrastruktur telekomunikasi

- MOSFET yang efisien untuk solusi energi terbarukan

Keuntungan pengadaan

1.Respon penawaran cepat dijamin dalam waktu 24 jam melalui email atau integrasi sistem ERP.
2. Pilihan pengiriman ekspres global memastikan komponen tiba dalam waktu 48 jam sejak konfirmasi pesanan.
3. Persediaan yang melebihi sepuluh juta unit di beberapa gudang menjamin ketersediaan stok.
4.Dukungan pengadaan DAFTAR BOM lengkap dengan pencocokan komponen otomatis.
5. Sampel gratis tersedia untuk pengujian; pesanan massal memenuhi syarat untuk diskon harga berjenjang.

Pembayaran Aman
Pembayaran melalui jalur formal, lebih aman
Logistik Global
Logistik global tersedia untuk pengiriman
Penjualan B2B
Pembelian volume B2B bisa lebih menguntungkan
Dukungan 24/7
Setiap pelanggan memiliki layanan pelanggannya sendiri

Pembaruan penting menanti Anda!

Berlangganan dan dapatkan DISKON 10%!