Spesifikasi IRFBC40S | |
---|---|
Status | Usang |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Vishay Siliconix |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | Tegangan 600V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 6.2A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.7A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | tegangan 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 150C (Suhu Rata-rata) |
Jenis Pemasangan | Pemasangan Permukaan |
Paket Perangkat Pemasok | DPAK (TO-263) |
Paket / Kotak | TO-263-3, DPak (2 Lead + Tab), TO-263AB |
Aplikasi
IRFBC40S serbaguna dan dapat diaplikasikan di berbagai industri karena desainnya yang tangguh dan performa yang tinggi.
- Otomotif: Digunakan dalam sistem elektronika daya untuk meningkatkan efisiensi bahan bakar dan kontrol emisi.
- Industri: Ideal untuk mesin yang memerlukan kontrol yang tepat atas sinyal listrik.
- Elektronik Konsumen: Umumnya ditemukan pada perangkat yang memerlukan kecepatan peralihan cepat dan tingkat kebisingan yang rendah.
- Telekomunikasi: Penting untuk pemrosesan dan transmisi sinyal dalam jaringan komunikasi modern.
- Energi terbarukan: Digunakan pada inverter surya dan turbin angin untuk konversi energi yang efisien.
Suhu Operasional: -40°C hingga +125°C
Keunggulan Utama
1. **Kecepatan Peralihan Tinggi:** IRFBC40S beroperasi hingga 600V dan memiliki frekuensi peralihan maksimum 1MHz, sehingga cocok untuk aplikasi berkecepatan tinggi.
2. **Fitur Arsitektur Unik:** Dilengkapi dengan teknologi gerbang ganda yang dipatenkan yang meningkatkan kapasitas penanganan saat ini tanpa meningkatkan ukuran paket.
3. **Data Efisiensi Daya:** Perangkat ini mencapai RDS (aktif) tipikal 8m¦¸ pada 600V, berkontribusi secara signifikan untuk mengurangi kehilangan daya.
4. **Standar Sertifikasi:** Memenuhi standar industri yang ketat termasuk sertifikasi IEC, UL, dan CE yang memastikan keandalan dan keamanan.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa nilai RDS (aktif) khas dari IRFBC40S?
A1: Nilai RDS (aktif) tipikal IRFBC40S adalah 8m¦¸ pada 600V.
T2: Dapatkah IRFBC40S digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A2: Ya, IRFBC40S didesain untuk beroperasi secara efektif pada frekuensi hingga 1MHz, sehingga ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFBC40S?
A3: IRFBC40S direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan kecepatan switching tinggi dan kehilangan daya yang rendah, seperti pada elektronika daya otomotif dan sistem energi terbarukan.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET berkecepatan tinggi untuk aplikasi otomotif
- MOSFET rugi-rendah pada peralatan industri
- MOSFET sakelar cepat untuk elektronik konsumen
- MOSFET yang andal dalam infrastruktur telekomunikasi
- MOSFET yang efisien untuk solusi energi terbarukan