Spesifikasi IRFBC30STRL | |
---|---|
Status | Aktif |
Kemasan | Pita & Gulungan (TR) |
Pemasok | Vishay Siliconix |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | Tegangan 600V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | tegangan 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 150C (Suhu Rata-rata) |
Jenis Pemasangan | Pemasangan Permukaan |
Paket Perangkat Pemasok | DPAK (TO-263) |
Paket / Kotak | TO-263-3, DPak (2 Lead + Tab), TO-263AB |
Aplikasi
IRFBC30STRL dirancang untuk lingkungan komputasi berkinerja tinggi, terutama di rak server di mana efisiensi ruang dan daya sangat penting. Produk ini unggul di pusat data yang membutuhkan kecepatan peralihan cepat dan latensi rendah, sehingga ideal untuk platform komputasi awan yang menuntut kinerja konsisten di beberapa server.
Dalam sistem otomasi industri, IRFBC30STRL menyediakan solusi manajemen daya yang andal, mendukung mesin dengan persyaratan operasional yang ketat seperti kontrol suhu dan protokol keselamatan. Desainnya yang kuat memastikan umur panjang bahkan dalam kondisi yang keras.
Untuk aplikasi otomotif, terutama pada kendaraan listrik, IRFBC30STRL menawarkan distribusi daya yang efisien, sangat penting untuk mengelola siklus pengisian dan pengosongan baterai tanpa panas berlebih.
Suhu Operasional: -40°C hingga +85°C
Keunggulan Utama
1. Frekuensi Peralihan Tinggi: IRFBC30STRL beroperasi hingga 600 kHz, memungkinkan waktu pengalihan yang lebih cepat yang mengurangi kerugian konduksi dan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.
2. Teknologi Penggerak Gerbang Canggih: Fitur unik ini memungkinkan kontrol yang tepat atas pengoperasian perangkat, meningkatkan keandalan dan kinerjanya dalam sirkuit yang kompleks.
3. Resistensi On-State Rendah: Dengan RDS (on) tipikal 0,07 ¦¸, IRFBC30STRL meminimalkan kehilangan energi selama konduksi, berkontribusi secara signifikan terhadap efisiensi yang lebih tinggi dalam sistem konversi daya.
4. Sertifikasi CE, UL, dan RoHS: Sertifikasi ini memastikan kepatuhan terhadap standar keamanan dan lingkungan internasional, membuat IRFBC30STRL cocok untuk pasar global.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Dapatkah IRFBC30STRL digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A1: Ya, IRFBC30STRL secara khusus dirancang untuk operasi frekuensi tinggi, menawarkan frekuensi switching hingga 600 kHz, yang ideal untuk aplikasi yang memerlukan waktu respons yang cepat.
T2: Berapa kisaran suhu pengoperasian maksimum untuk IRFBC30STRL?
A2: IRFBC30STRL dapat beroperasi dalam kisaran suhu yang luas dari -40¡ãC hingga +85¡ãC, memastikan kinerjanya andal dalam berbagai kondisi lingkungan.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFBC30STRL?
A3: IRFBC30STRL direkomendasikan untuk skenario yang melibatkan peralihan berkecepatan tinggi, seperti pada rak server, pusat data, dan aplikasi otomotif yang memerlukan respons cepat dan kehilangan daya minimal.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET frekuensi tinggi untuk rak server
- Solusi manajemen daya yang efisien untuk pusat data
- MOSFET kelas otomotif untuk aplikasi kendaraan listrik
- MOSFET yang kuat untuk sistem otomasi industri
- MOSFET dengan resistansi keadaan rendah untuk sistem konversi daya