Spesifikasi IRFBC30S | |
---|---|
Status | Usang |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Vishay Siliconix |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | Tegangan 600V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 3.6A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | tegangan 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 660 pF @ 25 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 150C (Suhu Rata-rata) |
Jenis Pemasangan | Pemasangan Permukaan |
Paket Perangkat Pemasok | DPAK (TO-263) |
Paket / Kotak | TO-263-3, DPak (2 Lead + Tab), TO-263AB |
Aplikasi
IRFBC30S serbaguna dan dapat digunakan di berbagai industri karena desainnya yang tangguh dan performa yang tinggi.
- Otomotif: Digunakan dalam sistem elektronika daya untuk meningkatkan efisiensi bahan bakar dan kontrol emisi.
- Industri: Diterapkan pada mesin yang memerlukan kontrol yang tepat atas sinyal listrik.
- Elektronik Konsumen: Ditemukan di perangkat seperti smartphone dan laptop untuk manajemen baterai yang lebih baik.
- Telekomunikasi: Digunakan dalam peralatan jaringan untuk transmisi sinyal yang andal.
- Energi terbarukan: Digunakan pada inverter surya untuk mengoptimalkan konversi energi.
Suhu Operasional: -40°C hingga +125°C
Keunggulan Utama
1. **Kapasitas Penanganan Arus Tinggi:** IRFBC30S dapat menangani arus hingga 30A, sehingga cocok untuk aplikasi berdaya tinggi.
2. **Teknologi Penggerak Gerbang Canggih:** Fitur unik ini memungkinkan kecepatan perpindahan yang efisien, sehingga mengurangi kehilangan konduksi.
3. **Efisiensi Daya:** Dengan RDS(on) tipikal 6m¦¸ pada suhu 25¡ãC, IRFBC30S menawarkan efisiensi daya yang sangat baik.
4. **Standar Sertifikasi:** Memenuhi sertifikasi industri yang ketat seperti IEC, UL, dan CE, memastikan keandalan dan keamanan.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa nilai RDS (aktif) yang umum dari IRFBC30S?
A1: Nilai RDS (aktif) tipikal IRFBC30S adalah 6m¦¸ pada suhu 25¡ãC.
T2: Dapatkah IRFBC30S digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A2: Ya, teknologi penggerak gerbang yang canggih mendukung operasi frekuensi tinggi, yang bermanfaat untuk aplikasi yang memerlukan kecepatan peralihan yang cepat.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFBC30S?
A3: IRFBC30S direkomendasikan untuk skenario yang melibatkan persyaratan penanganan arus tinggi, seperti pada elektronika daya otomotif dan mesin industri.
Istilah pencarian orang lain
– MOSFET Arus Tinggi
- MOSFET Penggerak Gerbang Tingkat Lanjut
- MOSFET RDS rendah (aktif)
- MOSFET kelas industri
- MOSFET Otomotif