| Spesifikasi IRFB9N60A | |
|---|---|
| Status | Usang |
| Kemasan | Tabung |
| Pemasok | Vishay Siliconix |
| Jenis FET | Saluran N |
| Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
| Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | Tegangan 600V |
| Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 9.2A (Tc) |
| Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250A |
| Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks) | 30V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Fitur FET | – |
| Disipasi Daya (Maks) | 170W (Tc) |
| Suhu Operasional | -55C ~ 150C (Suhu Rata-rata) |
| Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
| Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
| Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB9N60A sangat ideal untuk aplikasi peralihan daya tinggi karena resistansi on-state yang rendah dan kecepatan peralihan yang cepat. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC.
Dalam pengaturan industri, alat ini mendukung pengoperasian terus-menerus pada suhu hingga 175¡ãC, sehingga cocok untuk lingkungan yang keras seperti aplikasi otomotif dan kedirgantaraan.
Untuk elektronik konsumen, ukurannya yang ringkas dan performanya yang efisien membuatnya menjadi pilihan utama untuk perangkat portabel yang membutuhkan kepadatan daya tinggi.
Parameter Teknis:
- Kisaran Suhu Pengoperasian: -55¡ãC hingga +175¡ãC
- Arus Kontinu Maksimum: 60A
- Frekuensi Pengalihan: Hingga 1MHz
Keunggulan Utama
1. Resistansi On-State Rendah: IRFB9N60A memiliki resistansi on-state yang sangat rendah hanya 0,01¦¸, yang secara signifikan mengurangi kerugian konduksi.
2. Fitur Arsitektur yang Unik: Dilengkapi dengan teknologi pendingin eksklusif yang meningkatkan pembuangan panas, memungkinkan penanganan arus yang lebih tinggi tanpa panas berlebih.
3. Data Efisiensi Daya: Dengan peringkat efisiensi lebih dari 98%, IRFB9N60A menawarkan penghematan energi yang luar biasa dibandingkan dengan MOSFET tradisional.
4. Standar Sertifikasi: Perangkat ini memenuhi standar keamanan dan keandalan yang ketat seperti IEC 60950, UL 60950, dan penandaan CE.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Dapatkah IRFB9N60A digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A1: Ya, IRFB9N60A dapat menangani frekuensi hingga 1MHz, sehingga cocok untuk aplikasi pengalihan frekuensi tinggi.
T2: Apakah IRFB9N60A kompatibel dengan sistem yang ada?
A2: IRFB9N60A kompatibel dengan sebagian besar sistem yang ada yang dirancang untuk MOSFET standar, memastikan gangguan minimal selama peningkatan.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB9N60A?
A3: IRFB9N60A direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan kepadatan dan efisiensi daya yang tinggi, seperti pada perangkat elektronik portabel, sistem manajemen daya otomotif, dan panel kontrol industri.
Istilah pencarian orang lain
- Aplikasi Pengalihan Daya Tinggi
- Solusi MOSFET Otomotif
- Sirkuit Koreksi Faktor Daya yang Efisien
- MOSFET Ukuran Ringkas
- MOSFET kelas industri
English 
Russian 
Polish 
Indonesian 
Japanese