Spesifikasi IRFB9N30APBF | |
---|---|
Status | Usang |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Vishay Siliconix |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | Tegangan 300V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 9.3A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | 30V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 920 pF @ 25 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 96W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 150C (Suhu Rata-rata) |
Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB9N30APBF sangat ideal untuk aplikasi pengalihan berkinerja tinggi karena resistansi on-state yang rendah dan kecepatan pengalihan yang cepat. Ini biasanya digunakan dalam catu daya, penggerak motor, dan sistem energi terbarukan.
Dalam pengaturan industri, alat ini mendukung pengoperasian terus-menerus pada suhu hingga 175¡ãC, sehingga cocok untuk lingkungan yang keras seperti industri otomotif dan kedirgantaraan.
Untuk elektronik konsumen, ukurannya yang ringkas dan kinerja yang efisien membuatnya menjadi pilihan utama untuk laptop dan smartphone, meningkatkan daya tahan baterai dan efisiensi sistem.
Parameter Teknis:
- Suhu Pengoperasian: -55¡ãC hingga +175¡ãC
- Frekuensi Pengalihan: Hingga 60kHz
- Resistensi Dalam Keadaan: 0,08 ¦¸ maks
Keunggulan Utama
1. Resistensi On-State Rendah: IRFB9N30APBF menawarkan salah satu resistensi on-state terendah yang tersedia, yang secara signifikan mengurangi kerugian konduksi dan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.
2. Sirkuit Penggerak Gerbang Tingkat Lanjut: Arsitektur unik ini memastikan kinerja penggerak gerbang yang optimal, yang mengarah ke waktu peralihan yang lebih cepat dan mengurangi kerugian peralihan.
3. Efisiensi Tinggi: Dengan resistansi on-state yang rendah dan teknologi penggerak gerbang yang canggih, IRFB9N30APBF mencapai efisiensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan MOSFET tradisional.
4. Bersertifikat CE, UL, dan RoHS: Perangkat ini mematuhi peraturan keselamatan dan lingkungan yang ketat, memastikan kinerja yang andal dan penggunaan yang aman di berbagai pasar.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Dapatkah IRFB9N30APBF digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi?
A1: Ya, IRFB9N30APBF dapat menangani frekuensi hingga 60kHz, sehingga cocok untuk aplikasi pengalihan frekuensi tinggi seperti sirkuit inverter dan konverter DC/DC.
T2: Apakah IRFB9N30APBF kompatibel dengan desain yang sudah ada?
A2: IRFB9N30APBF dirancang agar kompatibel dengan sebagian besar desain yang ada yang membutuhkan MOSFET saluran-N. Namun, pengguna harus memverifikasi spesifikasi komponen dan perubahan tata letak mungkin diperlukan.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB9N30APBF?
A3: IRFB9N30APBF direkomendasikan untuk aplikasi yang membutuhkan efisiensi tinggi dan kehilangan konduksi rendah, seperti pada inverter surya, pengisi daya kendaraan listrik, dan regulator pengalih daya tinggi.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET resistansi on-state rendah
- MOSFET kecepatan switching cepat
- MOSFET kelas otomotif
- MOSFET energi terbarukan
- MOSFET switching yang efisien