Spesifikasi IRFB7430PBF | |
---|---|
Status | Aktif |
Seri | HEXFET?, StrongIRFET? |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Teknologi Infineon |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | 40 V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 195A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 6V, 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.9V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 460 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | tegangan 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 14240 pF @ 25 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 375W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 175C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB7430PBF sangat ideal untuk aplikasi switching berkinerja tinggi yang membutuhkan kecepatan switching cepat dan kerugian konduksi rendah. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC karena operasi kecepatan tinggi dan karakteristik switching yang efisien.
Dalam pengaturan industri, perangkat ini mendukung aplikasi seperti penggerak frekuensi variabel (VFD) di mana kontrol yang tepat atas kecepatan motor sangat penting. Perangkat ini beroperasi secara efektif dalam rentang suhu yang luas (-40°C hingga +125°C), memastikan keandalan di berbagai kondisi lingkungan.
Untuk aplikasi otomotif, IRFB7430PBF memungkinkan sistem manajemen energi yang efisien, terutama pada kendaraan hibrida di mana meminimalkan kehilangan energi selama proses konversi sangat penting.
Dalam elektronik konsumen, ini meningkatkan kinerja catu daya, meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan dan umur panjang.
IRFB7430PBF juga dapat digunakan dalam sistem energi terbarukan seperti inverter surya, yang berkontribusi pada konversi energi yang lebih efisien dari panel surya menjadi listrik yang dapat digunakan.
Keunggulan Utama
1. Kecepatan Peralihan Cepat: IRFB7430PBF menawarkan waktu peralihan maksimum 6ns, sehingga cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi.
2. Kerugian Konduksi Rendah: Dengan RDS (aktif) tipikal 8m¦¸ pada suhu 25¡ãC, ini meminimalkan disipasi daya, meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.
3. Efisiensi Tinggi: Perangkat ini mencapai efisiensi hingga 98% dalam kondisi optimal, mengurangi panas yang dihasilkan dan memperpanjang masa pakai komponen.
4. Kekokohan: Didesain untuk lingkungan industri, kamera ini tahan terhadap kondisi yang keras dengan kisaran suhu pengoperasian yang ditentukan, yaitu -40¡ãC hingga +125¡ãC.
5. Sertifikasi: IRFB7430PBF mematuhi berbagai standar industri, termasuk RoHS dan IEC, memastikan kepatuhan terhadap peraturan global.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa nilai RDS (aktif) khas dari IRFB7430PBF?
A1: Nilai RDS (on) khas IRFB7430PBF adalah 8m¦¸ pada 25¡ãC, yang berkontribusi secara signifikan terhadap kerugian konduksi yang rendah dan efisiensi yang tinggi.
T2: Dapatkah IRFB7430PBF digunakan dalam aplikasi otomotif?
A2: Ya, IRFB7430PBF sangat cocok untuk aplikasi otomotif, terutama pada sistem yang memerlukan kontrol yang tepat dan efisiensi tinggi, seperti penggerak frekuensi variabel dan sistem manajemen energi.
T3: Dalam skenario spesifik apa saja yang membuat IRFB7430PBF unggul?
A3: IRFB7430PBF unggul dalam skenario yang membutuhkan waktu peralihan yang cepat dan kehilangan daya yang minimal, seperti pada mode peralihan frekuensi tinggi yang terdapat pada sirkuit koreksi faktor daya dan driver LED.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET sakelar cepat
- MOSFET kehilangan konduksi rendah
- MOSFET kelas industri
- MOSFET Otomotif
- MOSFET efisiensi tinggi