Spesifikasi IRFB4610PBF | |
---|---|
Status | Bukan Untuk Desain Baru |
Seri | HEXFET? |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Teknologi Infineon |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | 100 V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 73A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 44A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 100A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | tegangan 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 3550 pF @ 50 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 190W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 175C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB4610PBF sangat ideal untuk aplikasi switching berkinerja tinggi yang membutuhkan kecepatan switching cepat dan kerugian konduksi rendah. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC karena operasi kecepatan tinggi dan kinerja yang efisien.
Dalam pengaturan industri, ini mendukung aplikasi seperti penggerak frekuensi variabel (VFD) di mana kontrol yang tepat atas kecepatan motor sangat penting. IRFB4610PBF beroperasi secara efektif dalam berbagai suhu (-55¡ãC hingga +175¡ãC), sehingga cocok untuk lingkungan yang keras seperti sistem otomotif dan kelautan.
Untuk elektronik konsumen, produk ini meningkatkan efisiensi catu daya pada laptop dan smartphone, berkontribusi pada masa pakai baterai yang lebih lama melalui pengurangan panas yang dihasilkan dan tingkat konversi energi yang lebih baik.
Keunggulan Utama
1. Kecepatan Peralihan Cepat: IRFB4610PBF menawarkan waktu peralihan maksimum 8ns, memungkinkan waktu respons cepat yang penting untuk aplikasi peralihan frekuensi tinggi.
2. Fitur Arsitektur Unik: Ini menggabungkan teknologi penggerak gerbang berpemilik yang mengurangi kapasitansi parasit, meningkatkan kinerja switching secara keseluruhan tanpa meningkatkan ukuran komponen.
3. Data Efisiensi Daya: Dengan RDS (on) tipikal 1,9m¦¸ pada 25¡ãC, IRFB4610PBF meminimalkan kehilangan daya selama konduksi, yang mengarah ke efisiensi sistem yang lebih tinggi.
4. Standar Sertifikasi: Perangkat ini mematuhi berbagai standar industri termasuk IEC, UL, dan CE, yang memastikan keandalan dan keamanan di berbagai pasar.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa nilai RDS (aktif) khas dari IRFB4610PBF?
A1: Nilai RDS (aktif) khas IRFB4610PBF adalah 1,9m¦¸ pada 25¡ãC, yang berkontribusi secara signifikan terhadap efisiensi dayanya.
T2: Dapatkah IRFB4610PBF digunakan dalam aplikasi otomotif?
A2: Ya, IRFB4610PBF dirancang untuk beroperasi dalam rentang suhu ekstrem yang diperlukan dalam lingkungan otomotif, dari -40¡ãC hingga +150¡ãC, sehingga cocok untuk digunakan dalam sistem manajemen daya otomotif.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB4610PBF?
A3: IRFB4610PBF direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan peralihan kecepatan tinggi dan kehilangan daya yang rendah, seperti pada desain catu daya frekuensi tinggi untuk server dan peralatan telekomunikasi.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET berkecepatan tinggi untuk koreksi faktor daya
- MOSFET kehilangan konduksi rendah untuk driver LED
- MOSFET yang efisien untuk aplikasi konverter DC/DC
- MOSFET kelas otomotif dengan peralihan cepat
- MOSFET untuk meningkatkan efisiensi catu daya