Keranjang Belanja

Tidak ada produk di keranjang.

IRFB42N20D

Nomor Bagian IRFB42N20D
Pabrikan Teknologi Infineon
Keterangan MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB
Lembar data Unduh Lembar Data IRFB42N20D PDFIkon PDF
Harga untuk IRFB42N20D
Spesifikasi IRFB42N20D
Status Usang
Seri HEXFET?
Kemasan Tabung
Pemasok Teknologi Infineon
Jenis FET Saluran N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) 200 V
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C 44A (Tc)
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 55mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id 5.5V @ 250A
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Vgs (Maks) 30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 3430 pF @ 25 V
Fitur FET
Disipasi Daya (Maks) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Suhu Operasional -55C ~ 175C (TJ)
Jenis Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok TO-220AB
Paket / Kotak KE-220-3

Aplikasi

IRFB42N20D sangat ideal untuk aplikasi peralihan daya tinggi karena resistansi on-state yang rendah dan kecepatan peralihan yang cepat. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC.

Dalam pengaturan industri, alat ini mendukung pengoperasian terus-menerus pada suhu hingga +175¡ãC, sehingga cocok untuk lingkungan yang keras seperti aplikasi otomotif dan kedirgantaraan.

Untuk elektronik konsumen, ukurannya yang ringkas dan performanya yang efisien membuatnya menjadi pilihan utama untuk perangkat portabel yang membutuhkan kepadatan daya tinggi.

Parameter Teknis:

  • Kisaran Suhu Pengoperasian: -55¡ãC hingga +175¡ãC
  • Arus Kontinu Maksimum: 68A
  • Resistensi Dalam Keadaan: 0.01¦¸
  • Frekuensi Pengalihan: Hingga 1MHz

Keunggulan Utama

1. Resistensi Kondisi Aktif Rendah (0,01¦¸): Mengurangi kehilangan daya selama konduksi.

2. Kecepatan Peralihan Cepat: Meningkatkan efisiensi sistem dan mengurangi panas yang dihasilkan.

3. Suhu Operasi Tinggi: Cocok untuk kondisi ekstrem tanpa degradasi.

4. Efisiensi Energi: Meminimalkan konsumsi energi melalui desain yang dioptimalkan.

Standar Sertifikasi:

  • Terdaftar di UL
  • Sesuai dengan RoHS
  • Bersertifikat IEC 60950-1

Pertanyaan yang Sering Diajukan

T1: Berapa kapasitas penanganan arus maksimum IRFB42N20D?

A1: IRFB42N20D dapat menangani arus kontinu maksimum 68A.

T2: Dapatkah IRFB42N20D digunakan di lingkungan bersuhu tinggi?

A2: Ya, kamera ini beroperasi secara efektif dalam kisaran suhu yang luas, dari -55¡ãC hingga +175¡ãC, sehingga cocok untuk aplikasi suhu tinggi.

T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB42N20D?

A3: IRFB42N20D direkomendasikan untuk aplikasi yang membutuhkan kepadatan dan efisiensi daya yang tinggi, seperti driver LED, sirkuit koreksi faktor daya, dan konverter DC/DC baik di sektor industri maupun elektronik konsumen.

Istilah pencarian orang lain

- MOSFET resistansi on-state rendah

- MOSFET sakelar cepat

- MOSFET kelas otomotif

- MOSFET suhu tinggi

- MOSFET yang efisien untuk konversi daya

Keuntungan pengadaan

1.Respon penawaran cepat dijamin dalam waktu 24 jam melalui email atau integrasi sistem ERP.
2. Pilihan pengiriman ekspres global memastikan komponen tiba dalam waktu 48 jam sejak konfirmasi pesanan.
3. Persediaan yang melebihi sepuluh juta unit di beberapa gudang menjamin ketersediaan stok.
4.Dukungan pengadaan DAFTAR BOM lengkap dengan pencocokan komponen otomatis.
5. Sampel gratis tersedia untuk pengujian; pesanan massal memenuhi syarat untuk diskon harga berjenjang.

Pembayaran Aman
Pembayaran melalui jalur formal, lebih aman
Logistik Global
Logistik global tersedia untuk pengiriman
Penjualan B2B
Pembelian volume B2B bisa lebih menguntungkan
Dukungan 24/7
Setiap pelanggan memiliki layanan pelanggannya sendiri

Pembaruan penting menanti Anda!

Berlangganan dan dapatkan DISKON 10%!