Spesifikasi IRFB42N20D | |
---|---|
Status | Usang |
Seri | HEXFET? |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Teknologi Infineon |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | 200 V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 44A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 26A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.5V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | 30V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 3430 pF @ 25 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 175C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB42N20D sangat ideal untuk aplikasi peralihan daya tinggi karena resistansi on-state yang rendah dan kecepatan peralihan yang cepat. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC.
Dalam pengaturan industri, alat ini mendukung pengoperasian terus-menerus pada suhu hingga +175¡ãC, sehingga cocok untuk lingkungan yang keras seperti aplikasi otomotif dan kedirgantaraan.
Untuk elektronik konsumen, ukurannya yang ringkas dan performanya yang efisien membuatnya menjadi pilihan utama untuk perangkat portabel yang membutuhkan kepadatan daya tinggi.
Parameter Teknis:
- Kisaran Suhu Pengoperasian: -55¡ãC hingga +175¡ãC
- Arus Kontinu Maksimum: 68A
- Resistensi Dalam Keadaan: 0.01¦¸
- Frekuensi Pengalihan: Hingga 1MHz
Keunggulan Utama
1. Resistensi Kondisi Aktif Rendah (0,01¦¸): Mengurangi kehilangan daya selama konduksi.
2. Kecepatan Peralihan Cepat: Meningkatkan efisiensi sistem dan mengurangi panas yang dihasilkan.
3. Suhu Operasi Tinggi: Cocok untuk kondisi ekstrem tanpa degradasi.
4. Efisiensi Energi: Meminimalkan konsumsi energi melalui desain yang dioptimalkan.
Standar Sertifikasi:
- Terdaftar di UL
- Sesuai dengan RoHS
- Bersertifikat IEC 60950-1
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa kapasitas penanganan arus maksimum IRFB42N20D?
A1: IRFB42N20D dapat menangani arus kontinu maksimum 68A.
T2: Dapatkah IRFB42N20D digunakan di lingkungan bersuhu tinggi?
A2: Ya, kamera ini beroperasi secara efektif dalam kisaran suhu yang luas, dari -55¡ãC hingga +175¡ãC, sehingga cocok untuk aplikasi suhu tinggi.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB42N20D?
A3: IRFB42N20D direkomendasikan untuk aplikasi yang membutuhkan kepadatan dan efisiensi daya yang tinggi, seperti driver LED, sirkuit koreksi faktor daya, dan konverter DC/DC baik di sektor industri maupun elektronik konsumen.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET resistansi on-state rendah
- MOSFET sakelar cepat
- MOSFET kelas otomotif
- MOSFET suhu tinggi
- MOSFET yang efisien untuk konversi daya