Spesifikasi IRFB4227PBF | |
---|---|
Status | Aktif |
Seri | HEXFET? |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Teknologi Infineon |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | 200 V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 65A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 46A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | 30V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 4600 pF @ 25 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 330W (Tc) |
Suhu Operasional | -40C ~ 175C (Suhu Rata-rata) |
Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB4227PBF sangat ideal untuk aplikasi switching berkinerja tinggi yang membutuhkan kecepatan switching cepat dan kerugian konduksi rendah. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC karena operasi kecepatan tinggi dan karakteristik switching yang efisien.
Dalam pengaturan industri, perangkat ini mendukung aplikasi seperti penggerak frekuensi variabel (VFD) di mana kontrol yang tepat atas kecepatan motor sangat penting. Perangkat ini beroperasi secara efektif dalam rentang suhu yang luas (-40°C hingga +125°C), memastikan keandalan di berbagai kondisi lingkungan.
Untuk aplikasi otomotif, IRFB4227PBF memungkinkan sistem manajemen energi yang efisien, berkontribusi pada peningkatan penghematan bahan bakar dan pengurangan emisi. Desainnya yang kuat membuatnya cocok untuk lingkungan yang keras yang biasanya ditemukan pada elektronik kendaraan.
Dalam sistem energi terbarukan, seperti inverter surya, IRFB4227PBF membantu mengoptimalkan efisiensi konversi daya, menjadikannya komponen kunci dalam memanfaatkan energi surya secara lebih efektif.
IRFB4227PBF juga dapat digunakan pada peralatan medis yang mengutamakan presisi dan keandalan. Kemampuannya untuk menangani peralihan frekuensi tinggi tanpa mengorbankan kinerja membuatnya menjadi pilihan yang lebih disukai untuk perangkat pemantauan kritis.
Keunggulan Utama
1. Kecepatan Peralihan Cepat: IRFB4227PBF menawarkan waktu peralihan maksimum 6ns, memungkinkan waktu respons cepat yang penting untuk sirkuit digital berkecepatan tinggi.
2. Kerugian Konduksi Rendah: Dengan RDS (aktif) tipikal 8m¦¸ pada 25¡ãC, IRFB4227PBF meminimalkan disipasi daya selama operasi, meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.
3. Efisiensi Tinggi: Perangkat ini mencapai efisiensi hingga 98% dalam kondisi optimal, membuatnya sangat efektif dalam aplikasi konversi daya.
4. Desain yang Kuat: Menampilkan paket TO-252, IRFB4227PBF dapat menahan arus dan tegangan tinggi, memastikan keandalan jangka panjang dalam lingkungan yang menuntut.
5. Kepatuhan Standar Industri: IRFB4227PBF mematuhi berbagai standar industri, termasuk IEC, UL, dan CE, memastikan integrasi yang aman dan andal ke dalam beragam aplikasi.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa nilai RDS (aktif) khas dari IRFB4227PBF?
A1: Nilai RDS (on) khas IRFB4227PBF adalah 8m¦¸ pada 25¡ãC, yang berkontribusi secara signifikan terhadap kerugian konduksi yang rendah dan efisiensi yang tinggi.
T2: Dapatkah IRFB4227PBF digunakan di lingkungan bersuhu tinggi?
A2: Ya, IRFB4227PBF didesain untuk beroperasi secara efektif dalam kisaran suhu dari -40¡ãC hingga +125¡ãC, sehingga cocok untuk lingkungan yang dingin dan panas.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB4227PBF?
A3: IRFB4227PBF direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan peralihan kecepatan tinggi dan kehilangan daya yang rendah, seperti pada VFD, driver LED, dan konverter DC/DC frekuensi tinggi. Kesesuaiannya meluas ke aplikasi otomotif, energi terbarukan, dan medis di mana manajemen daya yang tepat dan efisien sangat penting.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET sakelar cepat
- MOSFET kehilangan konduksi rendah
- Sakelar daya efisiensi tinggi
- MOSFET kelas industri
- Solusi MOSFET otomotif