Keranjang Belanja

Tidak ada produk di keranjang.

IRFB4510GPBF

Nomor Bagian IRFB4510GPBF
Pabrikan Teknologi Infineon
Keterangan MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
Lembar data Unduh Lembar Data IRFB4510GPBF PDFIkon PDF
Harga untuk IRFB4510GPBF
Spesifikasi IRFB4510GPBF
Status Usang
Seri HEXFET?
Kemasan Tabung
Pemasok Teknologi Infineon
Jenis FET Saluran N
Teknologi MOSFET (Oksida Logam)
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) 100 V
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C 62A (Tc)
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) 10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id 4V @ 100A
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Vgs (Maks) tegangan 20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds 3180 pF @ 50 V
Fitur FET
Disipasi Daya (Maks) 140W (Tc)
Suhu Operasional -55C ~ 175C (TJ)
Jenis Pemasangan Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok TO-220AB
Paket / Kotak KE-220-3

Aplikasi

IRFB4510GPBF sangat ideal untuk aplikasi pengalihan daya tinggi karena resistansi on-state yang rendah dan kecepatan pengalihan yang cepat. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC.

Dalam pengaturan industri, alat ini mendukung pengoperasian terus-menerus pada suhu hingga 175¡ãC, sehingga cocok untuk lingkungan yang keras seperti aplikasi otomotif dan kedirgantaraan.

Untuk elektronik konsumen, ukurannya yang ringkas dan performanya yang efisien membuatnya menjadi pilihan utama untuk perangkat portabel yang membutuhkan kepadatan daya tinggi.

Parameter Teknis:

  • Suhu Pengoperasian: -55¡ãC hingga +175¡ãC
  • Frekuensi Pengalihan: Hingga 60kHz
  • Resistensi Dalam Keadaan: 0,08 ¦¸ maks

Keunggulan Utama

1. Resistensi On-State Rendah: IRFB4510GPBF menawarkan salah satu resistensi on-state terendah yang tersedia, yang secara signifikan mengurangi kerugian konduksi dan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.

2. Sirkuit Penggerak Gerbang Tingkat Lanjut: Arsitektur unik ini memastikan kinerja gate drive yang optimal, meningkatkan kecepatan dan keandalan pengalihan.

3. Efisiensi Tinggi: Dengan efisiensi tipikal lebih dari 98%, IRFB4510GPBF meminimalkan kehilangan energi selama operasi, membuatnya sangat hemat biaya.

4. Bersertifikat CE, UL, dan RoHS: Perangkat ini mematuhi standar keamanan dan lingkungan internasional, memastikan penggunaan yang aman dan sesuai di berbagai pasar.

Pertanyaan yang Sering Diajukan

T1: Berapa suhu pengoperasian maksimum IRFB4510GPBF?

A1: IRFB4510GPBF dapat beroperasi secara terus menerus pada suhu hingga 175¡ãC, sehingga cocok untuk aplikasi suhu tinggi.

T2: Dapatkah IRFB4510GPBF digunakan dalam aplikasi otomotif?

A2: Ya, IRFB4510GPBF dirancang untuk memenuhi standar otomotif dan dapat digunakan di berbagai komponen otomotif seperti elektronika daya dan sistem kontrol.

T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB4510GPBF?

A3: IRFB4510GPBF direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan penanganan dan efisiensi daya yang tinggi, seperti pada catu daya switching frekuensi tinggi dan sirkuit inverter.

Istilah pencarian orang lain

- MOSFET resistansi on-state rendah

- MOSFET kelas otomotif

- MOSFET daya efisiensi tinggi

- MOSFET ringkas untuk perangkat portabel

- MOSFET kelas industri

Keuntungan pengadaan

1.Respon penawaran cepat dijamin dalam waktu 24 jam melalui email atau integrasi sistem ERP.
2. Pilihan pengiriman ekspres global memastikan komponen tiba dalam waktu 48 jam sejak konfirmasi pesanan.
3. Persediaan yang melebihi sepuluh juta unit di beberapa gudang menjamin ketersediaan stok.
4.Dukungan pengadaan DAFTAR BOM lengkap dengan pencocokan komponen otomatis.
5. Sampel gratis tersedia untuk pengujian; pesanan massal memenuhi syarat untuk diskon harga berjenjang.

Pembayaran Aman
Pembayaran melalui jalur formal, lebih aman
Logistik Global
Logistik global tersedia untuk pengiriman
Penjualan B2B
Pembelian volume B2B bisa lebih menguntungkan
Dukungan 24/7
Setiap pelanggan memiliki layanan pelanggannya sendiri

Pembaruan penting menanti Anda!

Berlangganan dan dapatkan DISKON 10%!