Spesifikasi IRFB4510GPBF | |
---|---|
Status | Usang |
Seri | HEXFET? |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Teknologi Infineon |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | 100 V |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 62A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 37A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 100A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | tegangan 20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 3180 pF @ 50 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 140W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 175C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB4510GPBF sangat ideal untuk aplikasi pengalihan daya tinggi karena resistansi on-state yang rendah dan kecepatan pengalihan yang cepat. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC.
Dalam pengaturan industri, alat ini mendukung pengoperasian terus-menerus pada suhu hingga 175¡ãC, sehingga cocok untuk lingkungan yang keras seperti aplikasi otomotif dan kedirgantaraan.
Untuk elektronik konsumen, ukurannya yang ringkas dan performanya yang efisien membuatnya menjadi pilihan utama untuk perangkat portabel yang membutuhkan kepadatan daya tinggi.
Parameter Teknis:
- Suhu Pengoperasian: -55¡ãC hingga +175¡ãC
- Frekuensi Pengalihan: Hingga 60kHz
- Resistensi Dalam Keadaan: 0,08 ¦¸ maks
Keunggulan Utama
1. Resistensi On-State Rendah: IRFB4510GPBF menawarkan salah satu resistensi on-state terendah yang tersedia, yang secara signifikan mengurangi kerugian konduksi dan meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.
2. Sirkuit Penggerak Gerbang Tingkat Lanjut: Arsitektur unik ini memastikan kinerja gate drive yang optimal, meningkatkan kecepatan dan keandalan pengalihan.
3. Efisiensi Tinggi: Dengan efisiensi tipikal lebih dari 98%, IRFB4510GPBF meminimalkan kehilangan energi selama operasi, membuatnya sangat hemat biaya.
4. Bersertifikat CE, UL, dan RoHS: Perangkat ini mematuhi standar keamanan dan lingkungan internasional, memastikan penggunaan yang aman dan sesuai di berbagai pasar.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa suhu pengoperasian maksimum IRFB4510GPBF?
A1: IRFB4510GPBF dapat beroperasi secara terus menerus pada suhu hingga 175¡ãC, sehingga cocok untuk aplikasi suhu tinggi.
T2: Dapatkah IRFB4510GPBF digunakan dalam aplikasi otomotif?
A2: Ya, IRFB4510GPBF dirancang untuk memenuhi standar otomotif dan dapat digunakan di berbagai komponen otomotif seperti elektronika daya dan sistem kontrol.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB4510GPBF?
A3: IRFB4510GPBF direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan penanganan dan efisiensi daya yang tinggi, seperti pada catu daya switching frekuensi tinggi dan sirkuit inverter.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET resistansi on-state rendah
- MOSFET kelas otomotif
- MOSFET daya efisiensi tinggi
- MOSFET ringkas untuk perangkat portabel
- MOSFET kelas industri