Spesifikasi IRFB4321PBF | |
---|---|
Status | Aktif |
Seri | HEXFET? |
Kemasan | Tabung |
Pemasok | Teknologi Infineon |
Jenis FET | Saluran N |
Teknologi | MOSFET (Oksida Logam) |
Tegangan Drain ke Sumber (Vdss) | 150 volt |
Arus – Drainase Kontinu (Id) @ 25C | 85A (Tc) |
Tegangan Penggerak (Rds Aktif Maks, Rds Aktif Min) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 33A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250A |
Muatan Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Vgs (Maks) | 30V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 4460 pF @ 50 V |
Fitur FET | – |
Disipasi Daya (Maks) | 350W (Tc) |
Suhu Operasional | -55C ~ 175C (TJ) |
Jenis Pemasangan | Melalui Lubang |
Paket Perangkat Pemasok | TO-220AB |
Paket / Kotak | KE-220-3 |
Aplikasi
IRFB4321PBF sangat ideal untuk aplikasi switching berkinerja tinggi yang membutuhkan kecepatan switching cepat dan kerugian konduksi rendah. Ini biasanya digunakan dalam sirkuit koreksi faktor daya, sirkuit driver LED, dan konverter DC / DC karena operasi kecepatan tinggi dan karakteristik switching yang efisien.
Dalam pengaturan industri, perangkat ini mendukung aplikasi seperti penggerak frekuensi variabel (VFD) di mana kontrol yang tepat atas kecepatan motor sangat penting. Perangkat ini beroperasi secara efektif dalam rentang suhu yang luas dari -40°C hingga +125°C, memastikan keandalan di berbagai kondisi lingkungan.
Untuk aplikasi otomotif, IRFB4321PBF memungkinkan sistem manajemen energi yang efisien, terutama pada kendaraan hibrida di mana meminimalkan kehilangan energi selama proses konversi sangat penting.
Dalam elektronik konsumen, ini meningkatkan kinerja catu daya, meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan dan umur panjang.
IRFB4321PBF juga dapat digunakan dalam sistem energi terbarukan seperti inverter surya, yang berkontribusi pada konversi dan distribusi energi yang lebih efisien.
Keunggulan Utama
1. Kecepatan Peralihan Cepat: IRFB4321PBF menawarkan waktu peralihan maksimum 6ns, memungkinkan respons cepat dalam aplikasi peralihan frekuensi tinggi.
2. Kerugian Konduksi Rendah: Dengan RDS (aktif) tipikal 8m¦¸ pada suhu 25¡ãC, ini meminimalkan disipasi daya, meningkatkan efisiensi sistem secara keseluruhan.
3. Efisiensi Tinggi: Perangkat ini mencapai efisiensi hingga 97% dalam kondisi optimal, sehingga cocok untuk aplikasi yang menuntut konservasi energi yang tinggi.
4. Kekokohan: Dirancang untuk menahan lonjakan tegangan tinggi dan lonjakan arus tanpa degradasi, memastikan keandalan jangka panjang.
5. Ukuran Paket Kecil: Tapaknya yang ringkas memungkinkan integrasi yang lebih mudah ke dalam desain yang terbatas ruang sambil mempertahankan kinerja tinggi.
Pertanyaan yang Sering Diajukan
T1: Berapa nilai RDS (aktif) khas dari IRFB4321PBF?
A1: Nilai RDS (on) khas IRFB4321PBF adalah 8m¦¸ pada 25¡ãC, yang berkontribusi secara signifikan terhadap kerugian konduksi yang rendah dan efisiensi yang tinggi.
T2: Dapatkah IRFB4321PBF digunakan dalam aplikasi tegangan tinggi?
A2: Ya, IRFB4321PBF dirancang untuk beroperasi dengan aman di lingkungan tegangan tinggi, mendukung aplikasi yang memerlukan penanganan tegangan hingga 600V.
T3: Dalam skenario spesifik apa yang Anda rekomendasikan untuk menggunakan IRFB4321PBF?
A3: IRFB4321PBF direkomendasikan untuk skenario yang membutuhkan peralihan kecepatan tinggi dan kehilangan daya yang rendah, seperti pada VFD, driver LED, dan desain catu daya efisiensi tinggi.
Istilah pencarian orang lain
- MOSFET sakelar cepat
- MOSFET kehilangan konduksi rendah
- Sakelar daya efisiensi tinggi
- MOSFET kelas industri
- Solusi MOSFET otomotif